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公开(公告)号：CN102376313A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110240373.2
申请日：2011-08-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/105 , G11B5/314 , G11B5/486 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种头支架组件(HGA)，其中，用于热辅助磁性记录头的电极通过焊料球接合(SBB)可以可靠地电连接至接线组件，所述热辅助磁性记录头包括光源、光电检测器和磁头元件。HGA包括悬挂物，所述悬挂物包括：基底；第一接线组件，用于光源和光电检测器，设置在基底的一个表面侧；以及第二接线组件，用于磁头元件，设置在基底的所述一个表面侧。第一接线组件和第二接线组件从基底向要固定的热辅助磁性记录头伸出。因此，第一和第二接线组件的端部(连接焊盘)可以分别位于与用于光源和光电检测器的电极以及用于磁头元件的电极靠近的位置。这种布置使得可以通过SBB而可靠地实现第一和第二接线组件的端部与电极的电连接。
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公开(公告)号：CN118541832A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280088883.9
申请日：2022-01-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/66
Abstract: 本发明提供一种集电体，其包含：具有第一表面及位于与第一表面相反的一侧的第二表面的树脂层、和含有铝的金属层，其中，金属层包含位于树脂层的第一表面侧的第一金属层，集电体的屈服应力σY1小于树脂层的拉伸破坏应力σB2，集电体的屈服应力σY1[MPa]是根据树脂层的屈服应力σY2[MPa]、树脂层的厚度D2[μm]、金属层的屈服应力σY3[MPa]、及金属层的厚度D3[μm]通过下述式(1)、(2)求得的值，金属层的屈服应力σY3[MPa]是根据金属层的X射线衍射图案中的强度最高的X射线衍射峰的半值宽度β[°]通过下述式(3)求得的值，σY1＝A×σY3+(1‑A)×σY2(1)A＝D3/(D2+D3)(2)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117337481A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202280035575.X
申请日：2022-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。在半导体元件(1)中，比第一电极(30)高的第二电极(40)与第一电极(30)同时形成，第一电极(30)和第二电极(40)的上表面(30a、40a)的高度位置(h1、h2)大致一致。在半导体元件(1)中，因为能够同时形成这样的第一电极(30)和第二电极(40)，能够以更少的工序形成具有第一电极(30)和第二电极(40)的半导体元件(1)。
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公开(公告)号：CN101471075A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188837.8
申请日：2008-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头，其特征在于，如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光，加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内，因此，两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近，可以进行高密度的记录。
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公开(公告)号：CN118872099A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202280092922.2
申请日：2022-03-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/66
Abstract: 一种集电体，其具备：具有第一面的树脂层(10)和位于第一面上的第一金属层(20)，第一金属层含有铝作为主成分，第一金属层的厚度d为0.5μm以上3μm以下，在第一金属层的基于X射线衍射法的测定中，在将衍射角(2θ)为36°以上41°以下的范围的最高的X射线衍射峰的强度A与衍射角(2θ)为43°以上48°以下的范围的最高的X射线衍射峰的强度B的峰强度的比率B/A设为r时，d和r满足下述(1)式，#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102540041B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110403014.4
申请日：2011-12-07
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/314 , G11B5/3173 , G11B5/3189 , G11B2005/0021 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热辅助头的老化测试方法。测试条带状态的多个激光二极管单元，每个激光二极管单元中的激光二极管包括形成在彼此面对表面上的第一电极和第二电极，且安装在子底座的安装表面上，使第一电极面对安装表面。方法包括：准备条带，条带中安装区域和切分边沿沿纵向交替排列，每个安装区域包括其上形成的激光二极管单元，切分边沿用于将条带分成分立的激光二极管单元，在每个安装区域的安装表面上设置与第一电极电连接的第一焊盘，在每个切分边沿的安装表面上设置同与之相邻的安装区域中的第一焊盘电连接的第二焊盘；使片状探针相对于第二电极和第二焊盘成倾斜角而与之相接触，并按压探针使探针变形；以及通过探针在第二电极和第二焊盘之间提供电势差，使激光二极管发射激光。
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公开(公告)号：CN102376313B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110240373.2
申请日：2011-08-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/105 , G11B5/314 , G11B5/486 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种头支架组件(HGA)，其中，用于热辅助磁性记录头的电极通过焊料球接合(SBB)可以可靠地电连接至接线组件，所述热辅助磁性记录头包括光源、光电检测器和磁头元件。HGA包括悬挂物，所述悬挂物包括：基底；第一接线组件，用于光源和光电检测器，设置在基底的一个表面侧；以及第二接线组件，用于磁头元件，设置在基底的所述一个表面侧。第一接线组件和第二接线组件从基底向要固定的热辅助磁性记录头伸出。因此，第一和第二接线组件的端部(连接焊盘)可以分别位于与用于光源和光电检测器的电极以及用于磁头元件的电极靠近的位置。这种布置使得可以通过SBB而可靠地实现第一和第二接线组件的端部与电极的电连接。
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公开(公告)号：CN101373598B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810146838.6
申请日：2008-08-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头。一边使来自光波导路的出射光的出射位置和磁极端部靠近，一边实现对磁记录介质的高密度的写入。热辅助磁头包括：主磁极层，具有露出于与磁记录介质相对的介质相对面的磁极端部；以及光波导路，使入射的激光向层叠方向偏转。主磁极层位于光因光波导路而发生偏转的一侧。磁极端部向光因光波导路而发生偏转的一侧突出。光波导路在介质相对面侧比磁极端部更突出。
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公开(公告)号：CN101373596A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810146839.0
申请日：2008-08-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/02 , G11B5/314 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种能够实现对磁记录介质的高密度的写入的热辅助磁头。热辅助磁头具备磁头部，该磁头部具有介质相对面以及与其相对的背面。磁头部具有记录磁头部、光波导路、遮光体。光波导路沿着介质相对面和背面的相对方向延伸。遮光体分别沿着介质相对面和背面的相对方向延伸且阻碍介质相对面和背面之间的激光的透过。从背面看时，光波导路和遮光体排列在同一直线上。从背面看时，遮光体隔着该直线相对且排列在与该直线大致垂直的直线上。
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公开(公告)号：CN1306475C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410061756.3
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B2005/0016
Abstract: 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。
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