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公开(公告)号：CN102951901B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110271171.4
申请日：2011-09-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN104752055B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410815935.5
申请日：2014-12-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G2/06 , H01G4/12 , H01G4/232 , H05K1/0271
Abstract: 本发明提供了一种电子部件。其中，外部端子(30)具有以与素体(26)的端面相对的方式连接于端子电极(22)的端子电极连接部(32)、能够连接于贴装面(62)的贴装连接部(34)、以使离贴装面(64)最近的素体(26)的一个侧面(26a)与贴装面(62)分离的方式连结端子电极连接部(32)与贴装连接部(34)的连结部(36)。沿着平行于贴装面(62)的方向的连结部(36)的宽度(W1)比端子电极连接部(32)的宽度(W0)小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102190486A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059754.0
申请日：2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN102190486B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110059754.0
申请日：2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN101549997A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910134079.6
申请日：2009-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , B82Y30/00 , C04B35/6264 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分、含有MgO的第1副成分、含有SiO2系烧结助剂的第2副成分、含有V2O5、Nb2O5和WO3中的至少一种的第3副成分、含有RA的氧化物(其中RA为选自Tb、Gd和Dy中的至少一种)的第4A副成分、含有RB的氧化物(其中RB为选自Ho、Y和Yb中的至少一种)的第4B副成分、以及含有MnO或Cr2O3的第5副成分。
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公开(公告)号：CN104752055A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410815935.5
申请日：2014-12-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G2/06 , H01G4/12 , H01G4/232 , H05K1/0271
Abstract: 本发明提供了一种电子部件。其中，外部端子(30)具有以与素体(26)的端面相对的方式连接于端子电极(22)的端子电极连接部(32)、能够连接于贴装面(62)的贴装连接部(34)、以使离贴装面(64)最近的素体(26)的一个侧面(26a)与贴装面(62)分离的方式连结端子电极连接部(32)与贴装连接部(34)的连结部(36)。沿着平行于贴装面(62)的方向的连结部(36)的宽度(W1)比端子电极连接部(32)的宽度(W0)小。
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公开(公告)号：CN102951901A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110271171.4
申请日：2011-09-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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