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公开(公告)号：CN101456727A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810183711.1
申请日：2008-12-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供电介质瓷器组合物和电子部件，所述电介质瓷器组合物含有BaTiO3和BaZrO3，该电介质瓷器组合物的特征在于，由2个以上的电介质粒子(20)和晶界相(30)构成，设以BaTiO3为主成分的电介质粒子(20)为第1电介质粒子(21)、以BaZrO3为主成分的电介质粒子(20)为第2电介质粒子(22)、第1电介质粒子(21)的平均结晶粒径为D1、第2电介质粒子(22)的平均结晶粒径为D2时，D2与D1之比(D2/D1)为0.04～0.33、D2为0.02μm～0.25μm、第2电介质粒子(22)的总个数与第1电介质粒子(21)的总个数之比为0.10～2。根据本发明，能够提供击穿电压良好、适合用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质瓷器组合物。
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公开(公告)号：CN101265087A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810082345.0
申请日：2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
Abstract: 电介质陶瓷组合物，它是含有：含BaTiO3的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土类元素氧化物的第3副成分；含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分；和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物，其中：在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR，设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时，CRmax/CR＞1。另外，设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM，设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时，CMmax/CM＞1。
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公开(公告)号：CN1649049A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006160.8
申请日：2005-01-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度为3.5μm以下的层间电介质层(2)，其中，上述层间电介质层(2)由与上述内部电极层接触的接触电介质粒子(2a)以及不与上述内部电极层接触的非接触电介质粒子(2b)构成，在上述层间电介质层(2)中包含的多个电介质粒子总体的平均粒径为D50，上述接触电介质粒子(2a)的粒度分布的标准偏差为σ时，满足D50≤0.25μm，且σ≤0.14。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待DC偏压特性的提高。
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公开(公告)号：CN1649048A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006159.5
申请日：2005-01-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度小于2μm的层间电介质层(2)和外侧电介质层(20)，其特征在于，所述层间电介质层(2)及外侧电介质层(20)包含多个电介质粒子(2a、20a)，在所述层间电介质层(2)中包含的电介质粒子(2a)的平均粒径为D50a，所述外侧电介质层(20)中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层(3a)沿厚度方向离开5μm以上的位置的电介质粒子(20a)的平均粒径为D50b时，该D50a与D50b之比(D50a/D50b)为y1，所述层间电介质层(2)的厚度为x的场合，所述y1与x满足y1≤－0.75x+2.275、且y1≥－0.75x+1.675的关系。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待在保持各种电特性，特别是充分的介电常数的同时，提高TC偏压特性。
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公开(公告)号：CN101265087B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810082345.0
申请日：2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
Abstract: 电介质陶瓷组合物，它是含有：含BaTiO3的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土类元素氧化物的第3副成分；含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分；和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物，其中：在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR，设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时，CRmax/CR＞1。另外，设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM，设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时，CMmax/CM＞1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101456727B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810183711.1
申请日：2008-12-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供电介质瓷器组合物和电子部件，所述电介质瓷器组合物含有BaTiO3和BaZrO3，该电介质瓷器组合物的特征在于，由2个以上的电介质粒子(20)和晶界相(30)构成，设以BaTiO3为主成分的电介质粒子(20)为第1电介质粒子(21)、以BaZrO3为主成分的电介质粒子(20)为第2电介质粒子(22)、第1电介质粒子(21)的平均结晶粒径为D1、第2电介质粒子(22)的平均结晶粒径为D2时，D2与D1之比(D2/D1)为0.04～0.33、D2为0.02μm～0.25μm、第2电介质粒子(22)的总个数与第1电介质粒子(21)的总个数之比为0.10～2。根据本发明，能够提供击穿电压良好、适合用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质瓷器组合物。
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公开(公告)号：CN101407417B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810176925.6
申请日：2008-09-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01G4/30
Abstract: 本发明为电介质陶瓷组合物及电子部件。本发明涉及一种电介质陶瓷组合物，其含有BaTiO3、BaZrO3、R氧化物(R为稀土类元素)，相对于100mol的BaTiO3，BaZrO3的含量为A mol，R氧化物的含量为C mol时，满足40≦A≦65mol、4≦C≦15mol，且同时满足式(1)和(2)。本发明可提供IR寿命长，可适用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质陶瓷组合物。式(1)...0.0038A—0.147≦B≦0.004A+0.04(B为BaZrO3的X射线衍射最大峰强度与BaTiO3的X射线衍射最大峰强度之比)、式(2)...0.0041C—0.0115≦D≦0.0046C+0.084(D为R氧化物的X射线衍射最大峰强度与BaTiO3的X射线衍射最大峰强度之比)。
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公开(公告)号：CN100521003C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410104753.3
申请日：2004-11-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/12
Abstract: 一种叠层陶瓷电容器(1)，其具有内部电极层(3)和厚度3.5μm以下的层间电介质层(2)，上述层间电介质层(2)包含与上述内部电极层接触的接触电介质颗粒(2a)和与上述内部电极层不接触的非接触电介质颗粒(2b)；以该接触电介质颗粒(2a)的平均粒径为D50e，以该非接触电介质颗粒(2b)的平均粒径为D50d，则满足D50e＜0.450μm且(D50e/D50d)＝1.20～3.00(但是除了1.20和3.00)。本发明能提供即使在层间电介质层(2)薄层化的情况下，仍能期望得到85℃下偏置特性提高的叠层陶瓷电容器(1)。
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公开(公告)号：CN100545969C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200510004129.0
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , Y10T29/435
Abstract: 本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg-Si-O作为组成元素的第一异相。
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公开(公告)号：CN100492559C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510006160.8
申请日：2005-01-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度为3.5μm以下的层间电介质层(2)，其中，上述层间电介质层(2)由与上述内部电极层接触的接触电介质粒子(2a)以及不与上述内部电极层接触的非接触电介质粒子(2b)构成，在上述层间电介质层(2)中包含的多个电介质粒子总体的平均粒径为D50，上述接触电介质粒子(2a)的粒度分布的标准偏差为σ时，满足D50≤0.25μm，且σ≤0.14。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待DC偏压特性的提高。
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