公开(公告)号：CN117177605A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310458725.4

申请日：2023-04-17

Applicant: TCL华星光电技术有限公司 ,  株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 村井淳人 ,  林宏

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供能够抑制制造工序中绝缘击穿的显示面板和显示面板的制造方法。显示面板具有保护元件和含有多个像素的显示部，显示面板具有绝缘性的基板、下部金属层、配置于下部金属层上方的第一层间绝缘膜、配置于第一层间绝缘膜上方的半导体层、配置于半导体层上方的栅极绝缘膜、配置于栅极绝缘膜上方的栅极金属层、配置于栅极金属层上方的第二层间绝缘膜、配置于第二层间绝缘膜上方的源漏极金属层，多个像素各自具有包括半导体层、栅极金属层和源漏极金属层的各自的一部分的薄膜晶体管，保护元件具有包括下部金属层、半导体层和栅极金属层的各自的另一部分的薄膜晶体管式二极管。

公开(公告)号：CN103026492B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN103109373B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180041844.5

申请日：2011-04-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。

公开(公告)号：CN108305874A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711444009.1

申请日：2017-12-27

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 林宏 ,  国吉督章 ,  寺井康浩 ,  松尾绘理 ,  葭谷俊明 ,  浅野直城

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L23/06

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本公开的一种半导体装置具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。

公开(公告)号：CN108305874B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201711444009.1

申请日：2017-12-27

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 林宏 ,  国吉督章 ,  寺井康浩 ,  松尾绘理 ,  葭谷俊明 ,  浅野直城

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L23/06

Abstract: 本公开的一种半导体装置具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。

公开(公告)号：CN117177605B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202310458725.4

申请日：2023-04-17

Applicant: TCL华星光电技术有限公司

Inventor： 村井淳人 ,  林宏

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10D89/60

Abstract: 本申请提供能够抑制制造工序中绝缘击穿的显示面板和显示面板的制造方法。显示面板具有保护元件和含有多个像素的显示部，显示面板具有绝缘性的基板、下部金属层、配置于下部金属层上方的第一层间绝缘膜、配置于第一层间绝缘膜上方的半导体层、配置于半导体层上方的栅极绝缘膜、配置于栅极绝缘膜上方的栅极金属层、配置于栅极金属层上方的第二层间绝缘膜、配置于第二层间绝缘膜上方的源漏极金属层，多个像素各自具有包括半导体层、栅极金属层和源漏极金属层的各自的一部分的薄膜晶体管，保护元件具有包括下部金属层、半导体层和栅极金属层的各自的另一部分的薄膜晶体管式二极管。