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公开(公告)号：CN101144987A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710154296.2
申请日：2007-09-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社 , 长濑化成株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/3213
Abstract: 提供一种用于至少去除在衬底上形成的有机膜图案的表面上形成的阻止层的化学溶液，阻止层由所述有机膜图案表面变质而形成的变质层和在所述有机膜图案表面上沉积沉积物而形成的沉积层中的至少一种构成。化学溶液由含有第一组分和第二组分的水溶液组成，所述第一组分由羟胺衍生物和肼衍生物中的至少一种组成，所述第二组分具有显影功能。
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公开(公告)号：CN101378012A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810215131.6
申请日：2008-09-01
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 铃木圣二
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的一种电子部件或显示装置可以通过利用以下图案成形方法提供。在用第一抗蚀图案作为第一掩模的第一蚀刻所处理的基板上，第二抗蚀图案转印在第一抗蚀图案上，以便与第一抗蚀图案部分重叠，并从第一抗蚀图案部分延伸。然后，通过利用第一抗蚀图案和第二抗蚀图案作为第二掩模进行第二蚀刻。第一抗蚀图案和第二抗蚀图案用于形成配线和/或端子，而第二抗蚀图案的延伸部分用于使配线具有阶梯状边缘形状的横截面。
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公开(公告)号：CN1834740A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610059141.6
申请日：2006-03-15
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133305 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124
Abstract: 有源矩阵基板或者TFT基板具有带有沟槽布线结构的下层布线，该沟槽布线结构是通过在绝缘基板处形成沟槽并在该沟槽中淀积阻挡金属膜和铜层来形成的，其用阻挡金属膜覆盖铜层的周围。该沟槽布线结构用于液晶显示(LCD)设备的TFT基板。能够制造具有大尺寸、高密度、大孔径比的LCD设备，并且该LCD设备中，能够抑制源于下层布线的高度差的向错缺陷和上层布线中发生断开故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1601360A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410054443.5
申请日：2004-07-22
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由引脚电极金属所形成的引脚，该器件在暴露的表面上包含引脚，该引脚是由引脚电极金属形成的，其中的绝缘膜将形成于衬底的中心部分的主电路区的薄膜晶体管与形成于衬底外围的保护电路区连接起来，并且其中布线的最上层表面是含铌的钼合金。
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公开(公告)号：CN1584718A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057654.4
申请日：2004-08-23
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 通过在源极和漏极上的拐角上形成斜面，LCD设备中的非晶硅TFT(薄膜晶体管)在TFT的沟道的两个边缘部分上与沟道的中心部分上相比，具有较大的沟道长度。在两个边缘部分上的较大沟道长度减少了由入射到沟道上的转向光线所导致的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN100412629C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610059141.6
申请日：2006-03-15
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板或者TFT基板具有带有沟槽布线结构的下层布线，该沟槽布线结构是通过在绝缘基板处形成沟槽并在该沟槽中淀积阻挡金属膜和铜层来形成的，其用阻挡金属膜覆盖铜层的周围。该沟槽布线结构用于液晶显示(LCD)设备的TFT基板。能够制造具有大尺寸、高密度、大孔径比的LCD设备，并且该LCD设备中，能够抑制源于下层布线的高度差的向错缺陷和上层布线中发生断开故障。
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公开(公告)号：CN100401144C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410057654.4
申请日：2004-08-23
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 通过在源极和漏极上的拐角上形成斜面，LCD设备中的非晶硅TFT(薄膜晶体管)在TFT的沟道的两个边缘部分上与沟道的中心部分上相比，具有较大的沟道长度。在两个边缘部分上的较大沟道长度减少了由入射到沟道上的转向光线所导致的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN100370349C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410054443.5
申请日：2004-07-22
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由引脚电极金属所形成的引脚，该器件在暴露的表面上包含引脚，该引脚是由引脚电极金属形成的，其中的绝缘膜将形成于衬底的中心部分的主电路区的薄膜晶体管与形成于衬底外围的保护电路区连接起来，并且其中布线的最上层表面是含铌的钼合金。
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