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公开(公告)号：CN101144987A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710154296.2
申请日：2007-09-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社 , 长濑化成株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/3213
Abstract: 提供一种用于至少去除在衬底上形成的有机膜图案的表面上形成的阻止层的化学溶液，阻止层由所述有机膜图案表面变质而形成的变质层和在所述有机膜图案表面上沉积沉积物而形成的沉积层中的至少一种构成。化学溶液由含有第一组分和第二组分的水溶液组成，所述第一组分由羟胺衍生物和肼衍生物中的至少一种组成，所述第二组分具有显影功能。
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公开(公告)号：CN100459037C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510054808.9
申请日：2005-03-18
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供可以抑制对有机膜图案或衬底的破坏的衬底处理方法，本发明的衬底处理方法包括对衬底上形成的有机膜图案进行加工的有机膜图案加工处理。在有机膜图案加工处理中，依次进行：对衬底进行加热的加热处理(步骤S00)；除去有机膜图案表面上形成的变质层或者沉积层的除去处理；将有机膜图案熔融变形的熔融变形处理(步骤S3)。其中除去处理的至少一部分通过对有机膜图案的药液处理(步骤S1)来进行。
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公开(公告)号：CN101093790A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710127151.3
申请日：2005-03-18
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/42 , G03F7/26 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供可以使通过第2次显影处理可以将有机膜图案加工成新的图案形状的处理顺利进行的衬底处理方法。依次进行：用于将衬底加热的加热处理、用于将有机膜图案表面上形成的破坏层除去的前处理、用于将有机膜图案的至少一部分缩小或者将所述有机膜图案的一部分除去的显影处理(第2次)。通过在由前处理除去破坏层后进行显影处理，可以顺利地、均一性良好地进行第2次的显影处理。因此，可以均一性良好地进行在显影处理后进行的底膜的图案加工。
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公开(公告)号：CN1311302C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410071266.1
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1624553A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410100664.1
申请日：2002-07-09
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
CPC classification number: G02F1/134363 , B05D3/107 , G02F2201/48
Abstract: 将有机薄膜被覆在绝缘基片上，并使有机溶剂渗透进入该有机薄膜中，引起有机薄膜溶解，以平坦化有机薄膜。之后，在100－180℃的温度下对该平坦化有机薄膜进行热处理，以蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂。在相对低的温度，即100－180℃下蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂，可降低有机薄膜被覆的布线层上的热应力，并提供绝缘基片表面的平坦度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1464340A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02123216.4
申请日：2002-06-12
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/26 , G02F1/1333
Abstract: 利用发射到将被蚀刻的薄膜上的感光薄膜上的光量的不同，制成仅通过一个照相平版印刷步骤形成并且具有不同薄膜厚度的感光薄膜图案，利用感光薄膜图案薄膜厚度的不同对将被蚀刻的薄膜进行两次蚀刻，以便在其中形成多个图案，由此减少制造工序步骤的数量。在这种情况下，在蚀刻并除去感光薄膜图案之外的薄感光薄膜时，感光薄膜图案之外的厚感光薄膜的上层已经被改造成为几乎不受干蚀刻影响的二氧化硅薄膜，因此厚感光薄膜能保持其平面形状，并几乎与蚀刻薄感光薄膜之前厚感光薄膜的平面形状相同。因此，使用二氧化硅薄膜作为掩膜，将被蚀刻的薄膜被蚀刻为具有与设计图案几乎相同的图案。
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公开(公告)号：CN101654617A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910165973.X
申请日：2009-08-20
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供溶解变形用药液及溶解变形处理方法。其中，所述溶解变形用药液可以对有机膜图案进行均匀的溶解变形处理。本发明为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。另外，本发明为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，至少含有含氮的碱成分和溶解变形用溶剂。
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公开(公告)号：CN101620382A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910007455.5
申请日：2004-09-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种可适合进行半曝光工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施显影处理的显影处理单元20。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的第1药液处理单元(21)、用于对基板实施药液处理的第2药液处理单元(21)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施显影处理的第1显影处理单元(20)、用于对基板实施显影处理的第2显影处理单元(20)。
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公开(公告)号：CN101350290A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810087091.1
申请日：2004-09-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、调整基板温度的温度调整处理单元(19)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。
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公开(公告)号：CN100334507C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410071264.2
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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