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公开(公告)号：CN1573483A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046413.X
申请日：2004-05-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1345
Abstract: 一种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中将在空气中容易腐蚀的栅极引线122暴露在当把最终的TFT基板100中的包括栅极端子和漏极端子的内显示区域与静电保护引线4和静电保护元件19分开的时候形成的切割面上，在栅极端子3和漏极端子8的附近切断由耐蚀的铟钛氧化物(ITO)形成的栅极端电极115。
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公开(公告)号：CN1479145A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02132129.9
申请日：2002-08-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786
Abstract: 一种用来制造液晶显示器的方法，该方法提供宽视角、缩短制造过程和提供高可靠性。该方法包括形成栅极金属层、栅极绝缘层和a－硅层并且通过光刻制图形成岛的过程、形成层间绝缘膜和漏极金属层并且通过光刻制图形成漏极线的过程、形成有机的绝缘膜并且借助光刻在规定的位置形成用来提供与源极和漏极连接的有机绝缘触点的过程、以及形成透明的导电膜并且通过光刻制图形成像素电极和公共电极的过程。
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公开(公告)号：CN1466006A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN02140183.7
申请日：2002-07-03
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al－Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al－Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。
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公开(公告)号：CN100527443C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610142087.1
申请日：2006-10-08
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 田中宏明
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , H01L21/76804 , H01L27/1248
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层(每一层都直接或间接形成在绝缘基板上)，和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接。钝化层具有包括至少堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率。第一子层比第二子层更接近于基板设置。第二子层具有等于或小于导电层的厚度。在蚀刻工艺中，可以很好地控制钝化层和底层栅绝缘层的形状或结构，并且防止形成在钝化层上的导电层被分割开。
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公开(公告)号：CN1531112A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028747.4
申请日：2004-03-15
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 田中宏明
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78675 , Y10S438/91 , Y10S438/958
Abstract: 在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和门绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在门绝缘膜和门电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢的扩散距离可以缩短，在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1282024C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02140183.7
申请日：2002-07-03
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786
Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al-Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al-Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。
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公开(公告)号：CN1255700C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02132130.2
申请日：2002-08-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供了一种用于制造反射型液晶显示器的方法，它能够减少反射型液晶显示器中所使用的薄膜晶体管的制造工序的数目。在这种液晶显示器中，待与薄膜晶体管的源极连接的反射电极以及待与终端部分下层金属膜连接的终端部分连接电极被同时形成在含有多个凸起和凹入部分的有机绝缘膜上。作为反射电极和终端部分下层金属膜的材料，本发明采用了含有0.9%原子或更多Nd的Al-Nd(铝-钕)合金，它具有优良的抗腐蚀特性。
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公开(公告)号：CN1601360A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410054443.5
申请日：2004-07-22
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由引脚电极金属所形成的引脚，该器件在暴露的表面上包含引脚，该引脚是由引脚电极金属形成的，其中的绝缘膜将形成于衬底的中心部分的主电路区的薄膜晶体管与形成于衬底外围的保护电路区连接起来，并且其中布线的最上层表面是含铌的钼合金。
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公开(公告)号：CN1945855A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142087.1
申请日：2006-10-08
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 田中宏明
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , H01L21/76804 , H01L27/1248
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层(每一层都直接或间接形成在绝缘基板上)，和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接。钝化层具有包括至少堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率。第一子层比第二子层更接近于基板设置。第二子层具有等于或小于导电层的厚度。在蚀刻工艺中，可以很好地控制钝化层和底层栅绝缘层的形状或结构，并且防止形成在钝化层上的导电层被分割开。
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公开(公告)号：CN1719585A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510083212.1
申请日：2005-07-07
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 田中宏明
IPC: H01L21/288 , H01L21/768 , H05K3/10 , C23C24/08
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/288 , H05K3/125 , H05K3/1258 , H05K2203/013 , H05K2203/0568 , H05K2203/0577 , H05K2203/0594
Abstract: 在绝缘基板上形成光致抗蚀剂图案以便其具有倒锥形截面和将要形成的布线图案的反图案。接着，用墨水喷射系统将含纳米颗粒的墨水注入在布线区域上，之后跟随着夷平工艺、干燥工艺、抗蚀剂分离工艺和烘焙工艺。这样形成了布线图案。
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