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公开(公告)号：CN101377577A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810215126.5
申请日：2008-09-01
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/13 , G02F1/1343 , G09F9/35 , G09F9/30
Abstract: 一种显示装置，所述显示装置包括：在其一侧具有一组端子电极的第一基板，至少一个端子电极通过沿每个端子电极的伸长方向延伸的隔离区域形成分支电极；以及与第一基板相对的第二基板，使得端子电极从第一基板和第二基板的重叠区域露出。
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公开(公告)号：CN101276779A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810090242.9
申请日：2008-03-31
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 安田亨宁
IPC: H01L21/768 , H01L21/84 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H05K3/1258 , B82Y20/00 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , G02F2202/36 , H05K3/002 , H05K3/048 , H05K3/107 , H05K2201/0257 , H05K2201/09036 , H05K2203/0571 , H05K2203/1131 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明公开了一种形成隐蔽布线的方法，所述方法使得不将绝缘板的可用材料限制与具有良好的耐热性的材料上、并提高为所述隐蔽布线的所提供的端子的抗腐蚀性成为可能。绝缘板的表面通过采用在所述表面上形成的掩模而被选择性地蚀刻，由此，在所述表面中形成沟槽。金属纳米颗粒墨被置于所述绝缘板的整个表面之上，以将所述沟槽以所述墨填充，在所述表面上留下所述掩膜。所述墨被加热以进行初步固化，从而形成金属纳米颗粒墨膜。置于所述掩模上的膜的一部分通过分离掩模而被选择性地去除，由此将膜的剩余部分保留在沟槽中。在沟槽中的剩余的膜被加热以进行主固化，由此形成所需的隐蔽布线。
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公开(公告)号：CN101195311A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710193326.0
申请日：2007-12-03
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 安田亨宁
IPC: B41N1/06 , B41N3/08 , B41C1/02 , B41C1/06 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1335 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供了一种用于胶版印刷的印刷版。所述印刷版包括基板和形成在所述基板上多个凹入的印刷版图案。至少一个辅助图案位于凹入的印刷版图案的至少一个的底部上，并且远离凹入的印刷版图案的侧面。因此，即使功能图案中出现多个内部空隙部分，但是其面积非常小并且每一个内部空隙部分都被隔离。
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公开(公告)号：CN1834740A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610059141.6
申请日：2006-03-15
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133305 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124
Abstract: 有源矩阵基板或者TFT基板具有带有沟槽布线结构的下层布线，该沟槽布线结构是通过在绝缘基板处形成沟槽并在该沟槽中淀积阻挡金属膜和铜层来形成的，其用阻挡金属膜覆盖铜层的周围。该沟槽布线结构用于液晶显示(LCD)设备的TFT基板。能够制造具有大尺寸、高密度、大孔径比的LCD设备，并且该LCD设备中，能够抑制源于下层布线的高度差的向错缺陷和上层布线中发生断开故障。
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公开(公告)号：CN1262874C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02142944.8
申请日：2002-09-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种有效抑制由放置在TFT上方的间隔物带电引发的漏电流的有源矩阵寻址LCD器件。器件包括：(a)具有开关元件的第一基板；(b)与第一基板耦接的第二基板，耦接方式是在第一和第二基板之间形成一个间隙；散布在间隙中的间隔物；(c)限定在间隙中的液晶；和(d)形成在与开关元件重叠的区域中的凸起；每个凸起在间隙变窄的方向上凸出。分布在间隙中的间隔物由于凸起而很容易移离重叠区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1573483A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046413.X
申请日：2004-05-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1345
Abstract: 一种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中将在空气中容易腐蚀的栅极引线122暴露在当把最终的TFT基板100中的包括栅极端子和漏极端子的内显示区域与静电保护引线4和静电保护元件19分开的时候形成的切割面上，在栅极端子3和漏极端子8的附近切断由耐蚀的铟钛氧化物(ITO)形成的栅极端电极115。
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公开(公告)号：CN1484079A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN02142944.8
申请日：2002-09-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种有效抑制由放置在TFT上方的间隔物带电引发的漏电流的有源矩阵寻址LCD器件。器件包括：(a)具有开关元件的第一基板；(b)与第一基板耦接的第二基板，耦接方式是在第一和第二基板之间形成一个间隙；散布在间隙中的间隔物；(c)限定在间隙中的液晶；和(d)形成在与开关元件重叠的区域中的凸起；每个凸起在间隙变窄的方向上凸出。分布在间隙中的间隔物由于凸起而很容易移离重叠区。
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公开(公告)号：CN1953188A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610132028.6
申请日：2006-10-19
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 安田亨宁
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/136295 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种LCD器件，防止透明导电层的腐蚀和接触电阻增加，而不出现由于互联层厚度增加导致的台阶覆盖退化、由于形成底切部分导致的台阶覆盖退化、和生产率下降及制造成本增加。包括图形化的Al或Al合金层的第一互联线设置在绝缘板上或上方。形成第一绝缘层以覆盖第一互联线，以具有暴露出一部分第一互联线的接触孔。由电镀金属制成的第一导电材料与接触孔中的第一互联线的暴露部分接触。第一透明导电层与第一导电材料接触。第一透明导电层借助于第一导电材料电连接到第一互联线。
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公开(公告)号：CN1255700C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02132130.2
申请日：2002-08-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供了一种用于制造反射型液晶显示器的方法，它能够减少反射型液晶显示器中所使用的薄膜晶体管的制造工序的数目。在这种液晶显示器中，待与薄膜晶体管的源极连接的反射电极以及待与终端部分下层金属膜连接的终端部分连接电极被同时形成在含有多个凸起和凹入部分的有机绝缘膜上。作为反射电极和终端部分下层金属膜的材料，本发明采用了含有0.9%原子或更多Nd的Al-Nd(铝-钕)合金，它具有优良的抗腐蚀特性。
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公开(公告)号：CN1601360A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410054443.5
申请日：2004-07-22
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由引脚电极金属所形成的引脚，该器件在暴露的表面上包含引脚，该引脚是由引脚电极金属形成的，其中的绝缘膜将形成于衬底的中心部分的主电路区的薄膜晶体管与形成于衬底外围的保护电路区连接起来，并且其中布线的最上层表面是含铌的钼合金。
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