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公开(公告)号：CN1311302C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410071266.1
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN100334507C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410071264.2
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1194390C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02142141.2
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1555084A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410071263.8
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN100514191C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410092383.6
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1558293A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410071266.1
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1554989A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410071264.2
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN100342488C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410071262.3
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1881090A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610095835.5
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1881089A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610095834.0
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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