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公开(公告)号：CN101025902A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710006322.7
申请日：2007-02-01
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: G09G3/36 , G09G3/34 , G09G3/20 , G02F1/133 , G02F1/13357
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G3/3648 , G09G2320/0252 , G09G2320/0257 , G09G2320/0261 , G09G2320/0633 , G09G2360/145
Abstract: 提供了一种液晶显示装置，其能够提高运动图像的显示质量。在液晶显示装置中，每次通过背光驱动电路与从发光定时控制部分提供的定时信号同步地产生驱动脉冲电压和将其提供到背光，并且将扫描信号提供给液晶面板的每个扫描电极时，在每个液晶分子对提供显示信号的响应完成之前的周期期间关闭背光，和当完成响应时打开背光。当每个液晶分子的位移大且因此光透射比的变化大时，关闭背光并因此显示画面的亮度不会发生变化，结果，能提高图像对比度。
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公开(公告)号：CN100527210C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610089973.2
申请日：2006-05-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G02F1/13624
Abstract: 一种具备书写板功能的液晶显示装置，能确实防止误动作。采用与驱动用的开关元件大致相同构造的TFT作为受光用元件，特别是，其半导体层由未掺杂的a-Si层和掺杂为n+形的n+形a-Si层构成。各受光用TFT(7amn、7bmn)的栅极电极与自身的源极电极或漏极电极连接。因此，各受光用TFT(7amn、7bmn)不会误成为导通状态。还有，与偏置的设定方式无关，能确实地保持截止状态。因而能确实防止误动作。通过检出由受光用元件(7amn、7bmn)产生的光电流，就能确实且准确地给定光输入位置。
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公开(公告)号：CN100490124C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510127223.5
申请日：2005-11-25
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L21/84 , G02F1/1368 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 提供了一种制造显示设备的方法，其中以岛的方式形成包括信号端区域的a-Si半导体层，并将总的寄生电容最小化，同时限制了光刻工艺步骤数的增加。使用抗蚀剂图案的薄的部分形成信号线、信号引线、信号端、部分漏电极和部分源电极。使用抗蚀剂图案的厚的部分形成每个都从漏电极与源电极彼此相对的位置到超过栅电极宽度的位置的小的区域。具有这些部分的抗蚀剂图案用作蚀刻金属层和接触层的掩模，并将其回流而形成回流的抗蚀剂掩模。该回流的抗蚀剂掩模用于形成半导体岛。
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公开(公告)号：CN100474631C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610077876.1
申请日：2006-05-10
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: H01L29/861 , H01L27/02 , H01L21/329 , H01L21/82 , G06F3/03 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/1214 , H01L27/1259
Abstract: 通过堆叠半导体层形成的垂直二极管，包括：(1)下部电极，其表面在含有N型或者P型导电类型的元素的气体中进行等离子体处理，以及(2)位于下部电极上的非掺杂的半导体层。P型或者N型半导体区域形成在非掺杂的半导体层与下部电极的等离子体处理表面接触的接触表面中。
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公开(公告)号：CN1975537A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163696.5
申请日：2006-12-04
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02B6/00 , G09F9/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02B6/0076 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02F1/133603 , G02F1/133621 , G02F2203/34
Abstract: 一种用于彩色液晶显示装置的背光装置，其中红，绿，蓝三原色光直接入射在液晶层的相应象素上。该背光装置包括：第一导光板；第一入射部分，用于在第一导光板的第一侧面上的第一区域中接收三原色光中的第一原色光；第二入射部分，用于在第一导光板的与第一侧面相对的第二侧面上的第二区域中接收三原色光中的第二原色光；和第三入射部分，用于在第一导光板的背面上的第三区域中接收三原色光中的第三原色光。这样，重叠步骤的数量减少了，导光板可以很容易地且高准确度地重叠在LCD面板上，由此可以获得轻便且廉价的用于彩色液晶显示装置的背光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1285127C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN03120029.X
申请日：2003-03-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其具有一个N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管，所述N沟道与P沟道MOS晶体管的每个由多晶硅层、栅绝缘膜、和包括了位于玻璃基片上的栅多晶硅的栅极构成。所述半导体器件的制造方法包括步骤：与注入杂质同时或在不同的另一步骤中，向所述栅多晶硅注入杂质，在形成MOS晶体管的源极/漏极时，或形成LDD(轻度掺杂漏极)时，在N沟道MOS晶体管中形成一个N型的栅多晶硅，在P沟道MOS晶体管中形成一个P型的栅多晶硅，而且，将所述多晶硅层的厚度设为小于形成沟道反转时出现的耗尽层的宽度。这样，降低了MOS晶体管的阈值电压的波动，从而实现了低电压驱动。
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公开(公告)号：CN1222015C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03178445.3
申请日：2003-07-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , C30B1/00 , C30B29/06 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/12 , H01L27/1285
Abstract: 在通过使用激光束将半导体膜的非单晶材料转化为单晶材料之前，将至少一种掺杂剂引入到整个半导体膜中。然后，使用激光束照射非单晶的半导体材料，以便结晶半导体膜，在这种情况下，在用来形成不同导电型的晶体管的晶体管形成区域的其中之一内的单晶材料的准费米能级和在另一形成区域内单晶材料的准费米能级之间的比值在0.5∶1和2.0∶1之间。因此，在结晶的半导体膜上形成不同导电型的晶体管。
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公开(公告)号：CN1469429A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03137291.0
申请日：2003-06-04
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/08 , G03F7/00 , G03F9/00
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造薄膜半导体器件的方法，它能够实现制造过程的简化，并在不使用多个对准标记的情况下，能够提高对准精度。通过使用具有多个区域的抗蚀剂层，形成对准构图，每个所述多个区域具有对应于多个图形中每个图形的不同的膜厚度，其中使用具有半色曝光区域作为掩模的半色掩模，并通过将光传送区域形成为孔构图，以及通过蚀刻位于下面的硅层而产生所述图形。通过使位于下面的硅层曝光，并将离子注入到整个抗蚀剂层，使只有主构图区域被掺杂了离子。
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公开(公告)号：CN1971920A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146434.8
申请日：2006-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14609 , H01L27/14692
Abstract: 提供一种能够减少元件数量、提高光接收精确度以及增加接收光量的动态范围的光接收电路。该光接收电路包括：由形成在绝缘衬底上的薄膜构成的光电二极管；传输由光电二极管根据输入光产生的电荷的传输TFT(薄膜晶体管)；积累传输电荷的电荷积累电容器；以及将在电荷积累电容器中积累的电荷传输到电荷读出信号线的读出TFT。
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公开(公告)号：CN1954776A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610142892.4
申请日：2006-10-27
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: G06K9/0004 , G06K2009/00932
Abstract: 本发明涉及一种生物传感器。该光学生物传感器具有较高光接收效率的、能够读取指纹或静脉纹。在该传感器中，在背光单元和基板之间配置百叶窗，用于通过下面的过程来识别指纹，其中，从背光单元发射的光穿过基板并照射到与保护层的上表面相接触的指纹上，并且，根据指纹的表面不规则性反射的光被作为光接收元件的半导体层所接收。由此发射的光被设置成具有清晰明确的方向性，因此增加了通过传感器的光接收效率。
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