制造显示设备的方法和形成图案的方法

    公开(公告)号:CN100490124C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200510127223.5

    申请日:2005-11-25

    CPC classification number: G02F1/1368

    Abstract: 提供了一种制造显示设备的方法,其中以岛的方式形成包括信号端区域的a-Si半导体层,并将总的寄生电容最小化,同时限制了光刻工艺步骤数的增加。使用抗蚀剂图案的薄的部分形成信号线、信号引线、信号端、部分漏电极和部分源电极。使用抗蚀剂图案的厚的部分形成每个都从漏电极与源电极彼此相对的位置到超过栅电极宽度的位置的小的区域。具有这些部分的抗蚀剂图案用作蚀刻金属层和接触层的掩模,并将其回流而形成回流的抗蚀剂掩模。该回流的抗蚀剂掩模用于形成半导体岛。

    液晶显示器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1293406C

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN02142007.6

    申请日:2002-08-22

    CPC classification number: G02F1/133555

    Abstract: 本发明涉及一种液晶显示器,其中反射电极具有波浪形状,并且其法线方向不均匀地分布到特定的方位角,其反射光强度取决于所述方位角。开口形成在具有0度至2度的倾斜角和/或10度或更大倾斜角的反射电极的区域中。通过使液晶分子定向模式在开口和反射电极之间不同而改变液晶层的延迟,因此可增加在反射模式和透射模式中的输出光强度。通过确定每种颜色的像素中的开口面积来确定在透射模式中显示的彩色平衡,并且色温设定为在透射模式中比在反射模式中高。这就设置了一种在反射模式和透射模式中都具有极佳可见度的半透射型液晶显示器。

    制造显示设备的方法和形成图案的方法

    公开(公告)号:CN1783458A

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN200510127223.5

    申请日:2005-11-25

    CPC classification number: G02F1/1368

    Abstract: 提供了一种制造显示设备的方法,其中以岛的方式形成包括信号端区域的a-Si半导体层,并将总的寄生电容最小化,同时限制了光刻工艺步骤数的增加。使用抗蚀剂图案的薄的部分形成信号线、信号引线、信号端、部分漏电极和部分源电极。使用抗蚀剂图案的厚的部分形成每个都从漏电极与源电极彼此相对的位置到超过栅电极宽度的位置的小的区域。具有这些部分的抗蚀剂图案用作蚀刻金属层和接触层的掩模,并将其回流而形成回流的抗蚀剂掩模。该回流的抗蚀剂掩模用于形成半导体岛。

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