公开(公告)号：CN1262874C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02142944.8

申请日：2002-09-16

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 安田亨宁 ,  井樋田悟史

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种有效抑制由放置在TFT上方的间隔物带电引发的漏电流的有源矩阵寻址LCD器件。器件包括：(a)具有开关元件的第一基板；(b)与第一基板耦接的第二基板，耦接方式是在第一和第二基板之间形成一个间隙；散布在间隙中的间隔物；(c)限定在间隙中的液晶；和(d)形成在与开关元件重叠的区域中的凸起；每个凸起在间隙变窄的方向上凸出。分布在间隙中的间隔物由于凸起而很容易移离重叠区。

公开(公告)号：CN1196962C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02127661.7

申请日：2002-08-06

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 坂本道昭 ,  井樋田悟史 ,  池野英德 ,  筱原正树 ,  木村茂 ,  森尾健二 ,  佐伯和郎

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133504 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236

Abstract: 在每个像素中设有透明区域和发射区域的透射一反射型LCD中，当在有源矩阵基板(12)上形成波纹膜(11)、以形成反射电极膜(6)的波纹时，所述波纹膜(11)特别地在透射和反射区域中形成几乎相同的厚度，以在这两个区域形成几乎相同的基板之间的间隙，以致它们具有几乎相同的V-T特性，另外，形成由Al/Mo制造的反射电极膜(6)，使得在透射电极膜(5)的外周边周围，与由ITO制造的透射电极膜(5)重叠至少2微米的宽度，从而抑制在透射电极膜(5)边缘上发生ITO和Al材料之间的电腐蚀。

公开(公告)号：CN1484079A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02142944.8

申请日：2002-09-16

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 安田亨宁 ,  井樋田悟史

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种有效抑制由放置在TFT上方的间隔物带电引发的漏电流的有源矩阵寻址LCD器件。器件包括：(a)具有开关元件的第一基板；(b)与第一基板耦接的第二基板，耦接方式是在第一和第二基板之间形成一个间隙；散布在间隙中的间隔物；(c)限定在间隙中的液晶；和(d)形成在与开关元件重叠的区域中的凸起；每个凸起在间隙变窄的方向上凸出。分布在间隙中的间隔物由于凸起而很容易移离重叠区。