公开(公告)号：CN102593204B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201210004842.5

申请日：2012-01-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 辛明俊 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  李满 ,  郭桂荣 ,  李圣恩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

公开(公告)号：CN102593204A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210004842.5

申请日：2012-01-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 辛明俊 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  李满 ,  郭桂荣 ,  李圣恩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

公开(公告)号：CN105655427A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510892086.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN102290453B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110168794.9

申请日：2011-06-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金圣辰 ,  郭桂荣 ,  都荣九 ,  李满 ,  李圣恩 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  曺海宗 ,  崔珉浩 ,  郑柱和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。

公开(公告)号：CN101611497B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780046006.0

申请日：2007-07-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  金圣辰 ,  金振镐

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02167 ,  G02B1/113 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳电池包括：p-n结构，其由第一导电型半导体基板、第二导电型半导体层以及p-n结形成，该第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体基板上，导电类型与上述第一导电型半导体基板相反，该p-n结形成于上述第一导电型半导体基板和第二导电型半导体层之间的界面上；钝化层，其形成于上述第二导电型半导体层上，含有氮氧化硅来构成，折射率为1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述钝化层上，含有氮化硅来构成；前电极，其贯穿上述钝化层和防反射膜的一部分，与上述第二导电型半导体层相连，向外部露出；以及背电极，其隔着上述第一导电型半导体基板，在与上述前电极的相反侧，与上述第一导电型半导体基板连接。

公开(公告)号：CN109037359B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810878741.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN108511557B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201810159994.X

申请日：2018-02-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 都荣九 ,  金圣辰 ,  崔亨旭

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法。提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。

公开(公告)号：CN108511557A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810159994.X

申请日：2018-02-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 都荣九 ,  金圣辰 ,  崔亨旭

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法。提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。

公开(公告)号：CN114127961A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080052377.5

申请日：2020-04-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金圣辰 ,  郑柱和 ,  崔亨旭 ,  张元宰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0368

Abstract: 根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。

公开(公告)号：CN113302747A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080008582.1

申请日：2020-01-02

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张元宰 ,  金圣辰 ,  都荣九 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  曹海宗 ,  高智洙

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。