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公开(公告)号：CN102290453B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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公开(公告)号：CN105185863B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510312681.X
申请日：2015-06-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
Abstract: 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750‑31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。
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公开(公告)号：CN107039542B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710017356.X
申请日：2017-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/054
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质；前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上；后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上；前透明导电层，该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度；前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上；后透明导电层，该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度；以及后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同，并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039542A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710017356.X
申请日：2017-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/054
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质；前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上；后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上；前透明导电层，该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度；前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上；后透明导电层，该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度；以及后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同，并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。
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公开(公告)号：CN105185865A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510481460.5
申请日：2015-06-17
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/6776 , H01L31/1864 , H05B3/0047 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/186
Abstract: 公开了一种太阳能电池的后加工设备。后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时提供光至太阳能电池的主时段的后加工操作。后加工设备包括用于执行主时段的主区段。主区段包括用于提供热至半导体基板的第一热源单元以及用于提供光至半导体基板的光源单元。第一热源单元和光源单元位于主区段中。光源单元包括由等离子体发光系统(PLS)构成的光源。
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公开(公告)号：CN105185865B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510481460.5
申请日：2015-06-17
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/6776 , H01L31/1864 , H05B3/0047 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池的后加工设备。后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时提供光至太阳能电池的主时段的后加工操作。后加工设备包括用于执行主时段的主区段。主区段包括用于提供热至半导体基板的第一热源单元以及用于提供光至半导体基板的光源单元。第一热源单元和光源单元位于主区段中。光源单元包括由等离子体发光系统(PLS)构成的光源。
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公开(公告)号：CN105185863A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510312681.X
申请日：2015-06-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L21/3003 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18
Abstract: 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。
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公开(公告)号：CN102290453A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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