微孔膜及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1283134A

    公开(公告)日:2001-02-07

    申请号:CN98812632.X

    申请日:1998-11-16

    Abstract: 一种制备微孔膜的方法,其包括:将一种聚合物在该聚合物熔点+10℃至聚合物熔点+100℃的温度下挤出;将挤出后的聚合物在10-150℃下以5-120米/分的速率拉伸制成聚合物膜:将该聚合物膜在聚合物熔点-100℃至聚合物熔点-5℃的温度下退火10秒至1小时;用能量为10-2~107Kev的离子粒以102~1020个离子/cm2的量、在真空度为10-2~10-8毫米汞柱下辐照经退火的聚合物膜的两个表面,辐照距离为5~100cm;在-20℃至聚合物熔点-40℃的温度下对辐照后的聚合物膜进行冷拉伸;在聚合物熔点-40℃至聚合物熔点-5℃的温度下对经冷拉伸后的薄膜进行热拉伸;且在聚合物熔点-80℃至聚合物熔点-5℃的温度下对热拉伸后的聚合物膜进行热定形。

    微孔膜及其制备方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1105594C

    公开(公告)日:2003-04-16

    申请号:CN98812632.X

    申请日:1998-11-16

    Abstract: 一种制备微孔膜的方法,其包括:将一种聚合物在该聚合物熔点+10℃至聚合物熔点+100℃的温度下挤出;将挤出后的聚合物在10-150℃下以5-120米/分的速率拉伸制成聚合物膜;将该聚合物膜在聚合物熔点-100℃至聚合物熔点-5℃的温度下退火10秒至1小时;用能量为10-2~107Kev的离子粒以102~1020个离子/cm2的量、在真空度为10-2~10-8毫米汞柱下辐照聚合物膜的一个或两个表面,辐照距离为5~100cm;在-20℃至聚合物熔点-40℃的温度下对聚合物膜进行冷拉伸;在聚合物熔点-40℃至聚合物熔点-5℃的温度下对聚合物膜进行热拉伸;且在聚合物熔点-80℃至聚合物熔点-5℃的温度下对聚合物膜进行热定形;其中上述步骤的次序可相互调换。

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