公开(公告)号：CN102349357B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080011245.4

申请日：2010-03-10

Applicant: EMD株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  西村荣一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其中，在真空容器内形成强的高频感应电场且能够使等离子体的密度分布更加均匀，并且，能够防止因颗粒的发生或高频天线的导体的溅射而引起的基体污染。本发明的等离子体处理装置(10)是基于高频放电的感应耦合方式的等离子体处理装置，其特征在于，具备：真空容器(11)、在所述真空容器(11)的壁的内面(111B)和外面(111A)之间所设置的天线配置部(12)、配置于所述天线配置部(12)的且不卷绕成圈地形成终端的一个高频天线、将所述天线配置部(12)和所述真空容器的内部(112)隔开的电介质制的分隔件(15)，所述高频天线(13)的长度比该高频波的1/4波长的长度短。

公开(公告)号：CN102349357A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011245.4

申请日：2010-03-10

Applicant: EMD株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  西村荣一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其中，在真空容器内形成强的高频感应电场且能够使等离子体的密度分布更加均匀，并且，能够防止因颗粒的发生或高频天线的导体的溅射而引起的基体污染。本发明的等离子体处理装置(10)是基于高频放电的感应耦合方式的等离子体处理装置，其特征在于，具备：真空容器(11)、在所述真空容器(11)的壁的内面(111B)和外面(111A)之间所设置的天线配置部(12)、配置于所述天线配置部(12)的且不卷绕成圈地形成终端的一个高频天线、将所述天线配置部(12)和所述真空容器的内部(112)隔开的电介质制的分隔件(15)，所述高频天线(13)的长度比该高频波的1/4波长的长度短。

公开(公告)号：CN112702829A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011131198.9

申请日：2020-10-21

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 江部明宪

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种感应耦合型的等离子源，其具有构造简易、且可抑制装置所需成本的天线的冷却机构。等离子源(10)是于真空容器(21)内生成等离子的装置，其具备设于真空容器(21)的壁(211)的框(天线固定框(12))、及固定于上述框内的面状的天线(11)。由于天线(11)的周围被上述框包围，故天线(11)所产生的热自其周围流出至框，进而自框流出至真空容器，因此高效地冷却。因此，无需使用液体或气体的冷媒，可使构造简化，且无需冷媒的温度管理装置或循环装置，因此可抑制装置所需的成本。

公开(公告)号：CN103155718B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201080068816.8

申请日：2010-09-06

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 江部明宪 ,  渡边正则

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652

Abstract: 本发明目的在于廉价地提供一种维护检修容易且能够稳定地供给等离子的内部天线方式的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置具备在真空容器(11)的上壁(111)上设置多个的天线单元(20)，天线单元(20)具备：从真空容器(11)的上壁(111)向真空容器(11)内凸出地设置的电介质制的框体(21)；具有将框体内的气氛向真空容器的外部排出的第二气体排出口(25)的盖(22)；以及经由馈通体(24)而固定于盖(22)且在管壁上具有气体通过孔(232)的由导体管构成的高频天线(23)。向高频天线(23)的管内供给不活泼气体，通过气体通过孔(232)而将框体(21)的内部充满，通过第二气体排出口(25)向真空容器(11)的外部排出。

公开(公告)号：CN101855707B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880115393.3

申请日：2008-11-12

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  井野英二 ,  石原伸一郎 ,  芦田肇 ,  渡边亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。

公开(公告)号：CN101855707A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115393.3

申请日：2008-11-12

Applicant: EMD株式会社 ,  株式会社永创科技

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  井野英二 ,  石原伸一郎 ,  芦田肇 ,  渡边亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。

公开(公告)号：CN102027811B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN200980117009.8

申请日：2009-05-21

Applicant: EMD株式会社 ,  安东靖典

Inventor： 江部明宪 ,  安东靖典 ,  渡边正则

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3266

Abstract: 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上，设有平板状的高频天线导体(13)，使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中，高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源，另一端接地，使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来，能够降低高频天线导体的阻抗，并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。

公开(公告)号：CN103202105B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180042545.3

申请日：2011-09-09

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32477 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明公开一种等离子处理装置，其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子，并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中，通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖，由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶，因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。

公开(公告)号：CN102349356B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080011018.1

申请日：2010-03-10

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32477 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。

公开(公告)号：CN102144044A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980133584.7

申请日：2009-08-25

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  韩铨建

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。