公开(公告)号：CN102144044A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980133584.7

申请日：2009-08-25

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  韩铨建

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。

公开(公告)号：CN102144044B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980133584.7

申请日：2009-08-25

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  韩铨建

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。