公开(公告)号：CN103789736A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310452254.2

申请日：2013-09-26

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 金明浩 ,  郑铭峻

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明公开一种能够降低被镀膜物的镀膜厚度偏差的溅射装置及其方法。该溅射装置包括：腔体；以及靶模块，其位于所述腔体内，并且具有靶源及产生磁场的至少一个磁铁单元；其中，所述磁铁单元在溅射工序期间摆动。根据本发明的溅射装置及其方法，通过使靶源旋转(rotating)，并使磁铁单元摆动(swing)，能够延长靶源的寿命，并且能够降低被镀膜物的镀膜厚度偏差。

公开(公告)号：CN102453874A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110332603.8

申请日：2011-10-27

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 郑铭峻 ,  金明浩 ,  郑贤泳 ,  吴世英

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/50 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明涉及一种通过干式方法对RF设备进行镀金属的方法以及用于该方法的溅镀装置。所述溅镀装置包括：放置所述RF设备的被镀金属体的支撑部；由用于对所述被镀金属体进行镀金属的材料形成的第一靶子以及与所述第一靶子分开排列的第二靶子。其中，对所述被镀金属体进行镀金属时，分别向所述第一靶子和所述第二靶子供给电力。

公开(公告)号：CN102077411A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124617.1

申请日：2009-06-18

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 郑铭峻 ,  郑贤泳

IPC: H01P1/20

CPC classification number: H01P1/2053 ,  H01P11/008

Abstract: 公开一种RF滤波器的谐振器的制造方法及具备该谐振器的RF滤波器。所公开的方法包括：准备能够从商业途径得到的管的步骤(a)；按预定的长度切断所述管的步骤(b)；以及将按所述预定的长度切断的管用作谐振器而结合到RF滤波器的下端的步骤(c)。根据所公开的方法，具有可节省RF空腔滤波器的谐振器的制造成本，且不会造成原材料的浪费、能够节省制造时间的优点。

公开(公告)号：CN101636873B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200880008151.4

申请日：2008-03-10

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 郑铭峻

IPC: H01P1/20

CPC classification number: H01P11/007 ,  H01P1/2053 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/49016

Abstract: 本发明公开了一种制造RF装置的方法。所述方法包括如下的步骤：(a)形成金属片，其中，RF装置的内部结构形成在金属片处；(b)将塑料材料外壳附着到形成的金属片；(c)在附着有塑料材料外壳的RF装置上执行镀银。

公开(公告)号：CN101960055B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980107011.7

申请日：2009-02-27

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 郑贤泳 ,  郑铭峻

IPC: C25D5/10

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D3/38 ,  C25D5/44 ,  C25D7/00

Abstract: 公开有RF装置的镀覆方法。所公开的方法包括步骤：(a)，对于采用待镀覆基材的RF装置进行前处理；(b)，对于所述RF装置进行镀铜而形成镀铜层；(c)，在所述镀铜层上形成采用贵金属的贵金属薄膜层，其中，所述贵金属薄膜层的厚度相比工作频带的趋肤深度(Skin Depth)更薄。根据所公开的方法，具有能够以低廉的费用实现镀覆处理的同时，具有良好的外观质量的优点。

公开(公告)号：CN101960055A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107011.7

申请日：2009-02-27

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 郑贤泳 ,  郑铭峻

IPC: C25D5/10

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D3/38 ,  C25D5/44 ,  C25D7/00

Abstract: 公开有RF装置的镀覆方法。所公开的方法包括步骤：(a)，对于采用待镀覆基材的RF装置进行前处理；(b)，对于所述RF装置进行镀铜而形成镀铜层；(c)，在所述镀铜层上形成采用贵金属的贵金属薄膜层，其中，所述贵金属薄膜层的厚度相比工作频带的趋肤深度(Skin Depth)更薄。根据所公开的方法，具有能够以低廉的费用实现镀覆处理的同时，具有良好的外观质量的优点。

公开(公告)号：CN101636873A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008151.4

申请日：2008-03-10

Applicant: ACE技术株式会社

Inventor： 郑铭峻

IPC: H01P1/20

CPC classification number: H01P11/007 ,  H01P1/2053 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/49016

Abstract: 本发明公开了一种制造RF装置的方法。所述方法包括如下的步骤：(a)形成金属片，其中，RF装置的内部结构形成在金属片处；(b)将塑料材料外壳附着到形成的金属片；(c)在附着有塑料材料外壳的RF装置上执行镀银。