公开(公告)号：CN105593985B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201480053562.0

申请日：2014-09-08

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： B·杨 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  J·J·朱 ,  J·舒 ,  D·杨 ,  R·M·托迪 ,  G·纳拉帕蒂 ,  C·H·甘 ,  M·蔡 ,  S·森古普塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/66

Abstract: 在一特定实施例中，一种半导体器件包括源极区和漏极区之间的高迁移率沟道。高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度。半导体器件还包括从源极区或漏极区朝高迁移率沟道延伸的掺杂区。基板的一部分位于掺杂区和高迁移率沟道之间。

公开(公告)号：CN105074915A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480008965.3

申请日：2014-02-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·J·朱 ,  B·杨 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  L·葛 ,  J·舒

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/538 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 互补后端制程(BEOL)电容器(CBC)结构包括金属氧化物金属(MOM)电容器结构。该MOM电容器结构被耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层。该MOM电容器结构包括该互连堆叠的至少一个下互连层。该CBC结构还可包括该互连堆叠中的耦合到该MOM电容器结构的第二上互连层。该CBC结构还包括处在第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。此外，CBC结构还可包括耦合到该MOM电容器结构的MIM电容器结构。该MIM电容器结构包括具有第一上互连层的一部分的第一电容器极板和具有(诸)MIM电容器层的一部分的第二电容器极板。

公开(公告)号：CN104364903A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380028493.3

申请日：2013-05-31

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·J·朱 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  L·葛 ,  B·杨 ,  J·舒

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有多个金属层(106；108；110；112；114；116；120；122；124；126；128；130)的半导体管芯(104；118)，包括具有用于最小特征尺寸的优选方向的一组金属层(112；114；116；126；128；130)。该组金属层使得相邻金属层具有彼此正交的优选方向。在该组金属层内形成的叉指电容器(204’；304’)使得在一个金属层内形成的叉指电容器具有与该金属层的优选方向平行的叉指方向。在双向金属层(106；108；110；120；122；124)内，电容器叉指可以在任一方向上。

公开(公告)号：CN105593985A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053562.0

申请日：2014-09-08

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： B·杨 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  J·J·朱 ,  J·舒 ,  D·杨 ,  R·M·托迪 ,  G·纳拉帕蒂 ,  C·H·甘 ,  M·蔡 ,  S·森古普塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7834

Abstract: 在一特定实施例中，一种半导体器件包括源极区和漏极区之间的高迁移率沟道。高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度。半导体器件还包括从源极区或漏极区朝高迁移率沟道延伸的掺杂区。基板的一部分位于掺杂区和高迁移率沟道之间。

公开(公告)号：CN105074915B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480008965.3

申请日：2014-02-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·J·朱 ,  B·杨 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  L·葛 ,  J·舒

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/538 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 互补后端制程(BEOL)电容器(CBC)结构包括金属氧化物金属(MOM)电容器结构。该MOM电容器结构被耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层。该MOM电容器结构包括该互连堆叠的至少一个下互连层。该CBC结构还可包括该互连堆叠中的耦合到该MOM电容器结构的第二上互连层。该CBC结构还包括处在第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。此外，CBC结构还可包括耦合到该MOM电容器结构的MIM电容器结构。该MIM电容器结构包括具有第一上互连层的一部分的第一电容器极板和具有(诸)MIM电容器层的一部分的第二电容器极板。