公开(公告)号：CN105593985B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201480053562.0

申请日：2014-09-08

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： B·杨 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  J·J·朱 ,  J·舒 ,  D·杨 ,  R·M·托迪 ,  G·纳拉帕蒂 ,  C·H·甘 ,  M·蔡 ,  S·森古普塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/66

Abstract: 在一特定实施例中，一种半导体器件包括源极区和漏极区之间的高迁移率沟道。高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度。半导体器件还包括从源极区或漏极区朝高迁移率沟道延伸的掺杂区。基板的一部分位于掺杂区和高迁移率沟道之间。

公开(公告)号：CN105593985A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053562.0

申请日：2014-09-08

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： B·杨 ,  P·齐达姆巴兰姆 ,  J·J·朱 ,  J·舒 ,  D·杨 ,  R·M·托迪 ,  G·纳拉帕蒂 ,  C·H·甘 ,  M·蔡 ,  S·森古普塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7834

Abstract: 在一特定实施例中，一种半导体器件包括源极区和漏极区之间的高迁移率沟道。高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度。半导体器件还包括从源极区或漏极区朝高迁移率沟道延伸的掺杂区。基板的一部分位于掺杂区和高迁移率沟道之间。

公开(公告)号：CN105518847A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048426.2

申请日：2014-07-30

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： M·蔡 ,  S·森古普塔 ,  C·H·甘 ,  P·齐达姆巴兰姆

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823456 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/4916

Abstract: 一种方法包括形成第一晶体管的第一多晶硅栅极，该第一多晶硅栅极具有第一长度。该第一晶体管位于第一核中。该方法还包括形成第二晶体管的第二多晶硅栅极，该第二多晶硅栅极具有短于该第一长度的第二长度。该第二晶体管位于第二核中。该第一核比第二核更接近于半导体管芯的中央。