公开(公告)号：CN104681451A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410665822.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： V·S·斯里达兰 ,  S·库尔卡尼 ,  K·特兰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83912 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明描述了采用被构造成对基片和裸片之间的粘合剂施加进行控制的技术的半导体器件。在一种实现方式中，牺牲层被设置在裸片的顶表面上以保护该表面和该表面上的接合垫免受粘合剂的溢出。随后，牺牲层和溢出的粘合剂被从裸片和/或芯片载体去除。在一种实现方式中，裸片包括裸片底表面上的用于将裸片粘附到基片的腔中的裸片附着膜(DAF)。裸片被利用热和压力施加到腔中，以便致使裸片附着膜(DAF)的一部分从裸片底表面流到基片腔的带斜坡的表面。