公开(公告)号：CN104134978A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410150364.8

申请日：2014-04-15

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·埃瑟顿 ,  A·P·格德曼 ,  R·S·鲁思 ,  J·W·米勒 ,  M·S·莫萨 ,  M·A·斯托金戈

IPC: H02H9/02

CPC classification number: H01L27/0292 ,  H01L27/0285

Abstract: 本发明涉及具有高的有效维持电压的静电放电（ESD）钳位电路。在一些实施例中，集成电路能包括:操作地耦接到第一电压总线（升压）和参考总线（VSS）的触发电路;包括操作地耦接到第二电压总线的阳极端的二极管，所述第二电压总线与第一电压总线不同;包括操作地耦接到所述触发电路的输出端的栅极、操作地耦接到所述二极管的阴极端的漏极以及操作地耦接到所述参考总线的源极的晶体管；以及操作地耦接到所述第一电压总线、所述第二电压总线和所述参考总线的输入/输出（I/O）单元。

公开(公告)号：CN102810124A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210178054.8

申请日：2012-06-01

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·鲁思 ,  M·A·卡尼 ,  B·J·佩珀特 ,  任具祥 ,  J·L·沃纳

IPC: G06F17/50

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0921 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括CMP虚拟拼接(36)，通过在虚拟拼接的顶表面形成阱区(42)、在阱区的顶部形成硅化物(52)以及形成金属互连结构(72,82)与硅化的连阱区相接触而将CMP虚拟拼接转换成有源拼接，以用于将虚拟拼接电连接至预定的供电电压从而提供闩锁保护。