公开(公告)号：CN102745641B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210114188.3

申请日：2012-04-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  G·G·李 ,  A·C·迈克奈尔 ,  L·Z·张 ,  T·F·米勒

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0307

Abstract: 一种MEMS装置(20)包括验证质块(32)，其耦接到不可移动结构(30)并且围绕所述不可移动结构。不可移动结构(30)包括从该结构(30)的主体(34)向外延伸的固定指(36，38)。验证质块(32)包括可移动指(60)，其每一都设置在一对(62)固定指(36，38)之间。主体(34)的中央区域(32)耦接到下面的基板(24)，而验证质块(32)和不可移动结构(30)的其余部分悬置在基板(24)上方，以将MEMS装置(20)与封装应力极大地隔离开。另外，MEMS装置(20)包括隔离沟槽(80)和互谅(46，50，64)，从而将固定指(36)、固定指(38)、可移动指(60)彼此电隔离，以形成差分装置结构。

公开(公告)号：CN102257609B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN200980150738.3

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： L·Z·张 ,  L·H·卡尔林 ,  R·B·蒙特兹 ,  朴佑泰

IPC: H01L21/76 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00698

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。

公开(公告)号：CN102642804B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210035054.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： A·C·迈克奈尔 ,  林义真 ,  L·Z·张

IPC: G01P3/42

CPC classification number: B81B3/0056 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/058 ,  B81B2203/06 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T29/49156

Abstract: 本发明涉及具有可变间隙宽度的MEMS装置和制造方法。MEMS装置(40)包括基础结构(42)和悬置在该基础结构上方的微结构(44)。基础结构(42)包括：形成在基板(48)上的氧化物层(50)，形成在氧化物层上的结构层(54)以及形成在结构层上的绝缘层(56)。形成覆盖基础结构的牺牲层(112)，并将微结构(44)形成在牺牲层(112)上的另一结构层(116)中。方法(90)涉及去除牺牲层(112)和氧化物层(50)的一部分以释放微结构，并暴露基板(48)的顶表面(52)。在去除之后，在微结构与顶表面之间生成的间隙(80)的宽度(86)大于在微结构与结构层之间生成的间隙(84)的宽度(88)。

公开(公告)号：CN103076012A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210417123.6

申请日：2012-10-26

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： G·G·李 ,  林义真 ,  A·C·麦克内尔 ,  L·Z·张

IPC: G01C19/5719 ,  G01C19/5755 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5747 ,  G01C19/5762

Abstract: 提供一种带有离轴弹簧系统的惯性传感器。惯性传感器（20）包括配置为经历振荡运动的驱动质体（30）和联接到驱动质体的感测质体（32）。同轴扭力弹簧（58）耦接到感测质体，同轴扭力弹簧与旋转轴（22）处于相同位置。惯性传感器还包括离轴弹簧系统（60）。离轴弹簧系统包括离轴弹簧（68、70、72、74），每个都具有在感测质体上的移离旋转轴的位置处耦接到感测质体的连接接口（76）。同轴扭力弹簧和离轴弹簧系统一起使感测质体以与驱动质体的驱动频率实质上匹配的感测频率绕旋转轴振荡到平面外。

公开(公告)号：CN102745641A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210114188.3

申请日：2012-04-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  G·G·李 ,  A·C·迈克奈尔 ,  L·Z·张 ,  T·F·米勒

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0307

Abstract: 一种MEMS装置(20)包括验证质块(32)，其耦接到不可移动结构(30)并且围绕所述不可移动结构。不可移动结构(30)包括从该结构(30)的主体(34)向外延伸的固定指(36，38)。验证质块(32)包括可移动指(60)，其每一都设置在一对(62)固定指(36，38)之间。主体(34)的中央区域(32)耦接到下面的基板(24)，而验证质块(32)和不可移动结构(30)的其余部分悬置在基板(24)上方，以将MEMS装置(20)与封装应力极大地隔离开。另外，MEMS装置(20)包括隔离沟槽(80)和互谅(46，50，64)，从而将固定指(36)、固定指(38)、可移动指(60)彼此电隔离，以形成差分装置结构。

公开(公告)号：CN102642804A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035054.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： A·C·迈克奈尔 ,  林义真 ,  L·Z·张

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0056 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/058 ,  B81B2203/06 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T29/49156

Abstract: 本发明涉及具有可变间隙宽度的MEMS装置和制造方法。MEMS装置(40)包括基础结构(42)和悬置在该基础结构上方的微结构(44)。基础结构(42)包括：形成在基板(48)上的氧化物层(50)，形成在氧化物层上的结构层(54)以及形成在结构层上的绝缘层(56)。形成覆盖基础结构的牺牲层(112)，并将微结构(44)形成在牺牲层(112)上的另一结构层(116)中。方法(90)涉及去除牺牲层(112)和氧化物层(50)的一部分以释放微结构，并暴露基板(48)的顶表面(52)。在去除之后，在微结构与顶表面之间生成的间隙(80)的宽度(86)大于在微结构与结构层之间生成的间隙(84)的宽度(88)。

公开(公告)号：CN102257609A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980150738.3

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： L·Z·张 ,  L·H·卡尔林 ,  R·B·蒙特兹 ,  朴佑泰

IPC: H01L21/76 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00698

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过结构层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。