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公开(公告)号：CN102257609A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150738.3
申请日：2009-11-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00698
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过结构层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。
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公开(公告)号：CN102257609B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200980150738.3
申请日：2009-11-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00698
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。
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公开(公告)号：CN102401706B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110240721.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , Y10T29/49126
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。
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公开(公告)号：CN102401706A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110240721.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , Y10T29/49126
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。
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