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公开(公告)号：CN104291266B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410331842.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B3/0005 , B81C2201/112
Abstract: 提供了一个用于通过使用源自在制造期间使用的基于TEOS的氧化硅牺牲膜形成近似均匀的碳化硅层来减小微机电系统MEMS器件中的粘滞的机制。通过将TEOS用作碳源来形成抗粘滞涂层，所有的硅表面可以被涂覆，包括那些使用标准的自组装单层(SAM)工艺难以涂覆的位置(例如，位于检测质量块下面的位置)。受控处理参数，例如用于退火的温度、时间长度等等，提供了先前工艺未提供的近似均匀的碳化硅涂层。
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公开(公告)号：CN102257609A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150738.3
申请日：2009-11-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00698
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过结构层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103864006B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310692997.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。
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公开(公告)号：CN103864005A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310690749.9
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0005 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/06 , B81C1/0096 , B81C2201/115 , G01P15/0802 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 本发明涉及通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力。本发明提供了一种机制，用于通过减少可以紧密接触的两个表面之间的表面积来降低一个MEMS装置中的静摩擦力。通过增加一个或两个表面的表面粗糙度来实现接触表面积的降低。在形成MEMS装置中，通过在使用的牺牲层上形成微掩模层，并且然后蚀刻所述牺牲层的表面提供了增加的粗糙度。可以使用纳米团簇（520）来形成微掩模层。当在牺牲层（810）之上形成MEMS装置的下一个部分时，该部分将呈现通过蚀刻工艺所施加到牺牲层上的粗糙度特性。在MEMS装置中，更粗糙的表面（910）降低了可用于接触的表面积，并且，反过来，降低了通过表面可以被施加静摩擦力的面积。
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公开(公告)号：CN102257609B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200980150738.3
申请日：2009-11-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00698
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。
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公开(公告)号：CN104291266A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410331842.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B3/0005 , B81C2201/112
Abstract: 提供了一个用于通过使用源自在制造期间使用的基于TEOS的氧化硅牺牲膜形成近似均匀的碳化硅层来减小微机电系统MEMS器件中的粘滞的机制。通过将TEOS用作碳源来形成抗粘滞涂层，所有的硅表面可以被涂覆，包括那些使用标准的自组装单层(SAM)工艺难以涂覆的位置(例如，位于检测质量块下面的位置)。受控处理参数，例如用于退火的温度、时间长度等等，提供了先前工艺未提供的近似均匀的碳化硅涂层。
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公开(公告)号：CN103864006A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310692997.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/06 , B81C1/0038 , B81C1/00952 , B81C2201/0169 , B81C2201/112 , G01P15/0802 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。
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