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公开(公告)号：CN102788923A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110131708.7
申请日：2011-05-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01R31/02
CPC classification number: G01R31/282 , G01R31/2824
Abstract: 本发明涉及测试振荡电路的方法和系统。震荡电路生成电压信号。该电压信号的幅度由内部测试电路来测量并且与预定的上限和下限电压信号比较。如果电压信号的幅度处于预定的上限和下限电压信号之间，则生成通过测试状态信号。如果电压信号的幅度没有处于预定的上限和下限电压信号之间，则生成失败测试状态信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103378828B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201210182560.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K7/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K3/0231 , H03B2201/0266 , H03K4/502 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054
Abstract: 一种半导体微调电路，包括以并联方式与并联耦合NMOS器件相耦合的并联耦合PMOS器件，和附加的伪NMOS器件对。所述伪NMOS器件以并联方式与所述NMOS器件相耦合。一种用于内部时钟源的微调电路，由一组用于选择所述微调电路的一个或多个微调电容器的开关阵列组成。这样的阵列具有微小的漏电电流，并具备很好的微调线性。
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公开(公告)号：CN105092930A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410187126.4
申请日：2014-05-06
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R31/3187 , G01R31/2886
Abstract: 本发明涉及片上电流测试电路。公开了一种包括处理器的集成电路，该集成电路还具有用于间接地测量处理器中的静态电流的片上电流测试电路。集成电路的供电电压引脚接收来自外部测试单元的供电电压以给处理器提供电力。当处理器与供电电压隔离并且时钟信号停止时，片上测试电路在预定的测试期T内测量处理器两端的电压变化。电压变化提供对与处理器对应的静态电流的指示。
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公开(公告)号：CN103825598A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210468156.3
申请日：2012-11-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F2200/513
Abstract: 一种轨间差分缓冲器输入级包括以电压跟随器结构连接到电源轨的n型和p型输入差分晶体管对。基准电压生成器包括关于共模输入电压产生动态基准电压的基准差分晶体管对。虚设n型和p型晶体管对具有与输入差分对并联连接的电流传导路径且由动态基准电压控制从而当共模输入电压比阈值更远离动态基准电压时，将电源轨电流从相关联的输入差分对中的一个转移走并使所述一个去活。当共模输入电压比阈值更接近动态基准电压VB时两个虚设对都导通且两个输入差分对都被激活，从而缓冲器输入级的总跨导保持恒定。
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公开(公告)号：CN103378828A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210182560.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K7/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K3/0231 , H03B2201/0266 , H03K4/502 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054
Abstract: 一种半导体微调电路，包括以并联方式与并联耦合NMOS器件相耦合的并联耦合PMOS器件，和附加的伪NMOS器件对。所述伪NMOS器件以并联方式与所述NMOS器件相耦合。一种用于内部时钟源的微调电路，由一组用于选择所述微调电路的一个或多个微调电容器的开关阵列组成。这样的阵列具有微小的漏电电流，并具备很好的微调线性。
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