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公开(公告)号：CN105742234A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76837
Abstract: 形成电子装置的方法包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN109891617A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201680090479.X
申请日：2016-11-07
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
Inventor： 李扬 , 朱敏荣 , 冯继昌 , S·冯 , 刘淳 , 刘育臣 , D·D·德沃尔 , P·特雷夫纳斯三世 , 罗弘烨 , R·莱特 , L·P·斯潘塞 , J·W·克雷默 , A·索科洛夫 , E·阿卡德
Abstract: 聚合电荷转移层组合物适合于电子装置的有机层，所述电子装置示出降低的驱动电压和提高的发光效率。
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公开(公告)号：CN109312229A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201680086966.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 一种用于制造有机电荷传输膜的方法。所述方法包含以下步骤：(a)向基底施加具有磺酸、磺酸盐或磺酸酯取代基的第一聚合物树脂；以及(b)在第一聚合物树脂上施加Mw为至少3,000并包含芳基甲氧基键联的第二聚合物树脂。
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公开(公告)号：CN105732972A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993664.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 一种孔隙填充组合物。本发明涉及一种组合物，其包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含：以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；和不含可聚合乙烯基和羟基的封端基团。所述组合物在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105742234B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826
Abstract: 形成电子装置的方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征;(b)在所述多孔特征上施用组合物,其中所述组合物包含聚合物和溶剂,其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元:其中:Ar、Ar、Ar和Ar独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团;X和X独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR‑、‑NRC(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO‑或任选地被取代的C二价烃基,其中R和R独立地表示H或C烃基;m是0或1;n是0或1;并且o是0或1;以及(c)加热所述组合物;其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性,用于形成低k和超低k介电材料。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118859628A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410856099.9
申请日：2017-09-22
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Inventor： E·阿卡德
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , C07D333/74
Abstract: 光酸产生化合物和相关聚合物、光致抗蚀剂组合物以及形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法。提供了一种形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法，包含：(a)在衬底上涂覆光致抗蚀剂组合物的层以形成光致抗蚀剂层；(b)按照图案将所述光致抗蚀剂层曝光于EUV辐射以形成曝光的光致抗蚀剂层；和(c)使所述曝光的光致抗蚀剂层显影以提供光致抗蚀剂浮雕图像，所述光致抗蚀剂组合物包括：一种具有以下结构的光酸产生化合物#imgabs0#
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公开(公告)号：CN109856911B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811424699.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/031 , C07C395/00 , C07D345/00
Abstract: 提供新型Te盐，其包括适用于极紫外光刻的光活性碲盐化合物。
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公开(公告)号：CN109991809B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201811634448.3
申请日：2018-12-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 提供新型光致抗蚀剂和面涂层组合物，其适用于各种应用。在一个方面，提供新型光致抗蚀剂组合物，其包含：(a)第一基质聚合物；(b)一种或多种酸产生剂；和(c)一种或多种式(I)和/或(II)的添加剂化合物。
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