-
公开(公告)号：CN105722927A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480049611.3
申请日：2014-09-05
IPC: C09D153/00 , C08L53/00 , G03F7/16
CPC classification number: B05D3/007 , B29C39/006 , B29K2025/08 , B29K2033/12 , B29K2096/04 , B29K2105/0085 , B29K2995/0088 , B29L2007/008 , C08L53/00 , C08L2205/025 , C08L2205/03 , C09D153/00 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及用于控制包括沉积在表面上或者在模具中的嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组装体的周期的方法。嵌段共聚物的特征在于，该嵌段共聚物具有至少一种相同的嵌段共聚物每一嵌段各自的构成单体，但呈现不同的分子量。所述控制方法的目标在于获得几乎没有纳米结构缺陷的膜或物品的厚度，该厚度对于经处理的表面是足够大的，以使所述经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩膜，或者对于由此获得的物品是足够大的以呈现先前未公布的机械、声学或光学特性。
-
公开(公告)号：CN105518089B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201480049607.7
申请日：2014-09-05
IPC: C09D153/00 , C08F293/00 , C08J5/18 , G03F7/16 , C08L53/00 , G03F7/06
Abstract: 本发明涉及用于在表面上无纳米结构缺陷地制造由嵌段共聚物获得的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物呈现在1.1和2之间的分散度指数(包括界限)，从而使该经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩模。
-
公开(公告)号：CN105916887A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480059287.3
申请日：2014-10-29
CPC classification number: H01B1/24 , C08F2438/03 , C08K3/04 , C08K3/041 , H01L51/004 , H01L51/0048 , H01L51/444 , H01L51/5206 , H01L51/5234
Abstract: 本发明涉及包含碳纳米管和聚合物电解质的稳定组合物，所述聚合物电解质特征在于存在膦酰亚胺或磺酰亚胺或甚至磷酸官能团。本发明还涉及制造包括所述碳纳米管和聚合物电解质的组合物的透明电极。
-
公开(公告)号：CN105492971A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047816.8
申请日：2014-07-10
IPC: G03F7/00
Abstract: 使用统计或梯度共聚物将嵌段共聚物的纳米畴垂直取向的方法，所述统计或梯度共聚物的单体至少部分地不同于嵌段共聚物的各嵌段中存在的单体。本发明涉及使用统计或梯度共聚物的底层将嵌段共聚物的纳米畴在基材上垂直取向的方法，所述统计或梯度共聚物的单体至少部分地不同于嵌段共聚物的各嵌段中存在的单体。
-
公开(公告)号：CN105722927B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201480049611.3
申请日：2014-09-05
IPC: C09D153/00 , C08L53/00 , G03F7/16
Abstract: 本发明涉及用于控制包括沉积在表面上或者在模具中的嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组装体的周期的方法。嵌段共聚物的特征在于，该嵌段共聚物具有至少一种相同的嵌段共聚物每一嵌段各自的构成单体，但呈现不同的分子量。所述控制方法的目标在于获得几乎没有纳米结构缺陷的膜或物品的厚度，该厚度对于经处理的表面是足够大的，以使所述经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩膜，或者对于由此获得的物品是足够大的以呈现先前未公布的机械、声学或光学特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105899547B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201480059304.3
申请日：2014-10-29
IPC: C08F2/00 , C08J5/00 , C09K11/00 , C08F8/30 , C08K3/04 , C08G61/12 , C08F291/14 , C08K7/06 , C08K7/24 , C08L65/00 , H01B1/12 , H01L51/00 , H01M10/00
CPC classification number: H01B1/127 , C08F2/38 , C08F12/20 , C08F12/30 , C08F291/14 , C08F2438/03 , C08G61/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C08L65/00 , C08L81/02 , C09D133/14 , C09K11/06 , C09K2211/1483 , H01B1/24 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0048 , H01L51/102 , H01L51/444 , H01L51/5215 , C08L25/18 , C09D165/00 , C08L33/14 , C08K3/041
Abstract: 本发明涉及聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩)‑稳定的具有有限酸度的阴离子稳定剂的成分。
-
公开(公告)号：CN105916960B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201480059689.3
申请日：2014-10-29
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/12 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/43 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C08L65/00 , H01L51/0037 , H01L51/0043 , H01L51/0048 , H01L51/444 , Y02E10/549 , C08L25/18
Abstract: 本发明涉及用于以单步合成复合物聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩)‑(共聚)‑聚合物电解质的方法。
-
公开(公告)号：CN105899547A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480059304.3
申请日：2014-10-29
IPC: C08F2/00 , C08J5/00 , C09K11/00 , C08F8/30 , C08K3/04 , C08G61/12 , C08F291/14 , C08K7/06 , C08K7/24 , C08L65/00 , H01B1/12 , H01L51/00 , H01M10/00
CPC classification number: H01B1/127 , C08F2/38 , C08F12/20 , C08F12/30 , C08F291/14 , C08F2438/03 , C08G61/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C08L65/00 , C08L81/02 , C09D133/14 , C09K11/06 , C09K2211/1483 , H01B1/24 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0048 , H01L51/102 , H01L51/444 , H01L51/5215 , C08L25/18 , C09D165/00 , C08L33/14 , C08K3/041
Abstract: 本发明涉及聚(3,4?亚乙基二氧噻吩)?稳定的具有有限酸度的阴离子稳定剂的成分。
-
公开(公告)号：CN105492971B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201480047816.8
申请日：2014-07-10
IPC: G03F7/00
Abstract: 使用统计或梯度共聚物将嵌段共聚物的纳米畴垂直取向的方法，所述统计或梯度共聚物的单体至少部分地不同于嵌段共聚物的各嵌段中存在的单体。本发明涉及使用统计或梯度共聚物的底层将嵌段共聚物的纳米畴在基材上垂直取向的方法，所述统计或梯度共聚物的单体至少部分地不同于嵌段共聚物的各嵌段中存在的单体。
-
公开(公告)号：CN105916960A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480059689.3
申请日：2014-10-29
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/12 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/43 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C08L65/00 , H01L51/0037 , H01L51/0043 , H01L51/0048 , H01L51/444 , Y02E10/549 , C08L25/18
Abstract: 本发明涉及用于以单步合成复合物聚(3,4?亚乙基二氧噻吩)?(共聚)?聚合物电解质的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.067 seconds)
