公开(公告)号：CN110981183B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201911292696.9

申请日：2019-12-16

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 黄荣 ,  王润涵 ,  肖武丰 ,  万俊雄 ,  王海鹰 ,  杨笛 ,  张安林 ,  王铁军

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/014 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种宽带多模光纤预制棒的制造方法，包括以下步骤：取石英玻璃管作为沉积衬管，依次沉积下陷包层和内包层、芯层；将已沉积有下陷包层、内包层和芯层的衬管在1800～2300℃的高温下熔缩成一根芯棒；再制备外包层，制得光纤预制棒；其特征在于沉积芯层时通入反应气体SiCl4、O2，掺杂剂GeCl4和POCl3制得掺P、Ge的二氧化硅芯层，其中POCl3通过鼓泡器随载气O2进入衬管，载气O2与SiCl4流量的比值O/Si为4～7。用该方法制得的多模光纤预制棒所拉制的光纤具有明显较低的带宽‑波长敏感性，在较宽的波长范围都具有高带宽性能，能够适应850～1100nm波段的波分复用技术。

公开(公告)号：CN110981183A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911292696.9

申请日：2019-12-16

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 黄荣 ,  王润涵 ,  肖武丰 ,  万俊雄 ,  王海鹰 ,  杨笛 ,  张安林 ,  王铁军

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/014 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种宽带多模光纤预制棒的制造方法，包括以下步骤：取石英玻璃管作为沉积衬管，依次沉积下陷包层和内包层、芯层；将已沉积有下陷包层、内包层和芯层的衬管在1800～2300℃的高温下熔缩成一根芯棒；再制备外包层，制得光纤预制棒；其特征在于沉积芯层时通入反应气体SiCl4、O2，掺杂剂GeCl4和POCl3制得掺P、Ge的二氧化硅芯层，其中POCl3通过鼓泡器随载气O2进入衬管，载气O2与SiCl4流量的比值O/Si为4～7。用该方法制得的多模光纤预制棒所拉制的光纤具有明显较低的带宽-波长敏感性，在较宽的波长范围都具有高带宽性能，能够适应850～1100nm波段的波分复用技术。

公开(公告)号：CN109188603A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811116300.0

申请日：2018-09-25

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 肖武丰 ,  王润涵 ,  黄荣 ,  王海鹰 ,  张安林 ,  杨笛 ,  王铁军

IPC: G02B6/028 ,  G02B6/036 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种小芯径渐变折射率光纤，包括有芯层和包层，包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.1，芯层的半径R1为10～21μm，芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.7％～1.7％；芯层为锗磷氟Ge、P、F共掺的二氧化硅玻璃层，内包层为纯二氧化硅层或掺F的二氧化硅玻璃层，单边宽度为0.5～5μm，Δ2为-0.4％～0％，下陷包层单边宽度为2～10μm，Δ3为-0.8％～-0.2％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明光纤不仅能与现有OM3/OM4多模光纤兼容，还能支持850nm～950nm波长范围内的波分复用技术；并能与单模光纤兼容，支持1310nm和1550nm的单模传输；本发明具有优异的抗弯曲性能，可适用于接入网和小型化光器件中。

公开(公告)号：CN109143463A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811117063.X

申请日：2018-09-25

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 肖武丰 ,  王润涵 ,  黄荣 ,  王海鹰 ,  张安林 ,  杨笛 ,  王铁军

IPC: G02B6/028 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种小芯径兼容型渐变折射率光纤，包括有芯层和包层，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.1，芯层的半径R1为10～21μm，芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.7％～1.7％，所述的芯层为锗磷氟Ge、P、F共掺的二氧化硅玻璃层，所述的内包层宽度(R2‑R1)为1.0～5.0μm，相对折射率差Δ2为‑0.30％～0.09％，所述的内包层为磷氟P、F共掺的二氧化硅玻璃层，所述的下陷包层宽度(R3‑R2)为2～10μm，相对折射率差Δ3为‑0.8％～‑0.2％；所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明不仅能与OM3/OM4多模光纤兼容，还能支持850nm～950nm波长范围内的波分复用技术；并能与单模光纤兼容，支持1310nm和1550nm的单模传输；本发明还具有优异的抗弯曲性能。

公开(公告)号：CN118759632A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410949206.2

申请日：2024-07-16

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 王铁军 ,  张安林 ,  徐进 ,  肖武丰 ,  肖虎 ,  王海鹰 ,  谢鹏 ,  吴建鹏 ,  汪振东 ,  傅琰 ,  张振众 ,  王瑞春

IPC: G02B6/036 ,  G02B6/028 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种弯曲不敏感车载多模传能光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈抛物线型，所述芯层分布指数α为2.1～2.4,芯层半径R1为18～30μm，芯层中心最大相对折射率差为0.8～1.6％，芯层边缘位最小相对折射率差为‑0.18～‑0.06％，所述的包层由内到外依次为第一内包层、第一下陷包层、第二内包层、第二下陷包层和外包层，所述的第一内包层的折射率剖面呈前增后平折线状，单边宽度(R3‑R1)为0.4～4.0μm。本发明通过优化剖面结构设计和多元掺杂量，提高了多模光纤的带宽性能，改善了多模光纤的微分模时延(DMD)性能，降低了光纤的带宽‑波长敏感性，实现对于光传输带宽性能优化的同时提高了光纤弯曲不敏感性能，实现了高速通信与光纤传能一体化。

公开(公告)号：CN109188603B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201811116300.0

申请日：2018-09-25

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 肖武丰 ,  王润涵 ,  黄荣 ,  王海鹰 ,  张安林 ,  杨笛 ,  王铁军

IPC: G02B6/028 ,  G02B6/036 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种小芯径渐变折射率光纤，包括有芯层和包层，包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.1，芯层的半径R1为10～21μm，芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.7％～1.7％；芯层为锗磷氟Ge、P、F共掺的二氧化硅玻璃层，内包层为纯二氧化硅层或掺F的二氧化硅玻璃层，单边宽度为0.5～5μm，Δ2为‑0.4％～0％，下陷包层单边宽度为2～10μm，Δ3为‑0.8％～‑0.2％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明光纤不仅能与现有OM3/OM4多模光纤兼容，还能支持850nm～950nm波长范围内的波分复用技术；并能与单模光纤兼容，支持1310nm和1550nm的单模传输；本发明具有优异的抗弯曲性能，可适用于接入网和小型化光器件中。

公开(公告)号：CN110780379A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911039850.1

申请日：2019-10-29

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 闫长鹍 ,  肖武丰 ,  王润涵 ,  王铁军 ,  曹蓓蓓 ,  程铭

IPC: G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种低色散单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为3～5μm，芯层相对折射率差Δ1为0.15％～0.45％；所述的包层由内到外依次为第一下陷包层、凸起包层、第二下陷包层和外包层，所述的第一下陷包层单边宽度(R2-R1)为2～7μm，相对折射率差Δ2为-0.4％～-0.03％，所述的凸起包层单边宽度(R3-R2)为2～7μm，相对折射率差Δ3为0.05％～0.20％，所述的第二下陷包层单边宽度(R4-R3)为0～8μm，相对折射率差Δ4为0％～-0.2％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明芯包层设计合理、工艺控制方便、兼容现有G.652光纤，并能够在1270～1380nm波段具有低色散。

公开(公告)号：CN108983350A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201811116297.2

申请日：2018-09-25

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 肖武丰 ,  王润涵 ,  黄荣 ,  王海鹰 ,  张安林 ,  杨笛 ,  王铁军

IPC: G02B6/028 ,  G02B6/036

CPC classification number: G02B6/0288 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种小芯径渐变折射率光纤，包括有芯层和包层，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.1，芯层的半径R1为10～21μm，芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.7％～1.7％，所述的内包层为纯二氧化硅层或掺F的二氧化硅玻璃层，单边宽度(R2-R1)为0.5～5μm，相对折射率差Δ2为-0.4％～0％，所述的下陷包层单边宽度(R3-R2)为2～10μm，相对折射率差Δ3为-0.8％～-0.2％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明光纤不仅能与现有OM3/OM4多模光纤兼容，还能支持850nm～950nm波长范围内的波分复用技术；光纤的基模LP01的MFD与单模光纤进行匹配，能与单模光纤兼容，支持1310nm和1550nm的单模传输。

公开(公告)号：CN110780379B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201911039850.1

申请日：2019-10-29

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 闫长鹍 ,  肖武丰 ,  王润涵 ,  王铁军 ,  曹蓓蓓 ,  程铭

IPC: G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种低色散单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为3～5μm，芯层相对折射率差Δ1为0.15％～0.45％；所述的包层由内到外依次为第一下陷包层、凸起包层、第二下陷包层和外包层，所述的第一下陷包层单边宽度(R2‑R1)为2～7μm，相对折射率差Δ2为‑0.4％～‑0.03％，所述的凸起包层单边宽度(R3‑R2)为2～7μm，相对折射率差Δ3为0.05％～0.20％，所述的第二下陷包层单边宽度(R4‑R3)为0～8μm，相对折射率差Δ4为0％～‑0.2％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明芯包层设计合理、工艺控制方便、兼容现有G.652光纤，并能够在1270～1380nm波段具有低色散。

公开(公告)号：CN109143463B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201811117063.X

申请日：2018-09-25

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 肖武丰 ,  王润涵 ,  黄荣 ,  王海鹰 ,  张安林 ,  杨笛 ,  王铁军

IPC: G02B6/028 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种小芯径兼容型渐变折射率光纤，包括有芯层和包层，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.1，芯层的半径R1为10～21μm，芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.7％～1.7％，所述的芯层为锗磷氟Ge、P、F共掺的二氧化硅玻璃层，所述的内包层宽度(R2‑R1)为1.0～5.0μm，相对折射率差Δ2为‑0.30％～0.09％，所述的内包层为磷氟P、F共掺的二氧化硅玻璃层，所述的下陷包层宽度(R3‑R2)为2～10μm，相对折射率差Δ3为‑0.8％～‑0.2％；所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明不仅能与OM3/OM4多模光纤兼容，还能支持850nm～950nm波长范围内的波分复用技术；并能与单模光纤兼容，支持1310nm和1550nm的单模传输；本发明还具有优异的抗弯曲性能。