一种高带宽弯曲不敏感车载多模传能光纤

    公开(公告)号:CN118393642A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410661040.4

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本发明涉及一种高带宽弯曲不敏感车载多模传能光纤,包括有芯层和包层,芯层折射率剖面呈抛物线型,其特征在于所述的芯层分布指数α为2.2~2.5,芯层半径R1为18~30μm,芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.5%,芯层边缘位最小相对折射率差Δ1min为‑0.20%~‑0.08%,所述的包层由内到外依次为第一内包层、第一下陷包层、第二内包层、第二下陷包层和外包层。本发明通过优化剖面结构设计和多元掺杂量,提高了多模光纤的带宽性能,改善了多模光纤的微分模时延(DMD)性能,降低了光纤的带宽‑波长敏感性,实现对于光传输带宽性能优化的同时提高了光纤弯曲不敏感性能;该光纤集高速通信和传能于一体,传输效率高,性能稳定。

    一种小芯径渐变折射率光纤

    公开(公告)号:CN108983350B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201811116297.2

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种小芯径渐变折射率光纤,包括有芯层和包层,所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层,其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形,分布指数α为1.9~2.1,芯层的半径R1为10~21μm,芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.7%~1.7%,所述的内包层为纯二氧化硅层或掺F的二氧化硅玻璃层,单边宽度(R2‑R1)为0.5~5μm,相对折射率差Δ2为‑0.4%~0%,所述的下陷包层单边宽度(R3‑R2)为2~10μm,相对折射率差Δ3为‑0.8%~‑0.2%,所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明光纤不仅能与现有OM3/OM4多模光纤兼容,还能支持850nm~950nm波长范围内的波分复用技术;光纤的基模LP01的MFD与单模光纤进行匹配,能与单模光纤兼容,支持1310nm和1550nm的单模传输。

    一种用于小尺寸预制棒的全密封装置

    公开(公告)号:CN119528429A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411716353.1

    申请日:2024-11-27

    Abstract: 本发明提供了一种用于小尺寸预制棒的全密封装置,其特征在于:包括从上至下依次密封连接的尾棒密封装置、石英密封筒以及石英密封筒固定底座,所述石英密封筒固定底座固定于拉丝炉的上炉口上端,所述石英密封筒与光纤预制棒之间设有间隙,构成非接触式密封结构。由于本发明采用全密封方式,能够将整个预制棒进行密封,密封后的腔体涵盖拉丝炉内预制棒和发热体之间的间隙以及预制棒与石英密封筒之间的间隙,密封后的腔体体积远远大于常规密封装置的腔体尺寸,正因如此,即便密封过严,鉴于密封腔体体积有了显著增大,整个密封腔体内的炉压也不会过高,从而不会对光纤的衰减性能造成影响。

    一种渐变折射率剖面光纤预制棒芯层的沉积方法

    公开(公告)号:CN113292240B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202110669235.X

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明涉及一种渐变折射率剖面光纤预制棒芯层的沉积方法,将石英玻璃管或靶棒装夹在旋转夹头上,微波谐振腔或火焰喷灯沿石英玻璃管或靶棒轴向往复移动,同时通过流量计开度控制通入反应气体,形成掺杂石英玻璃沉积层,其特征在于将整个芯层沉积区域分为k×(m+1)矩阵点位,每个点位的掺杂沉积向量是基于对母棒测算后经校准的掺杂沉积向量,所述校准的掺杂沉积向量用以反应气体流量计开度控制和调节,且所述的流量计开度控制和调节在各个点位之间是连续渐变的。本发明能在控制和提高芯层径向精度的同时控制和改善芯棒的轴向一致性,从而提高渐变折射率光纤预制棒芯层的制备精度和有效棒长,提高光纤产出的合格比。

    一种多芯多模光纤
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111273394B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202010230186.5

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明涉及一种多芯多模光纤,包括有多个芯层和共同外包层,其特征在于所述的芯层为2个、4个或8个,各个芯层沿周向等距均布,各相邻芯层的间距2个芯层为38~60μm,4个或8个为38~48μm,各芯层外从内向外依次包覆内包层和下陷包层,构成多芯同质多模光纤,芯层折射率剖面呈抛物线形,α为1.9~2.1,芯层R1为12~20μm,芯层Δ1max为0.7%~1.7%,内包层单边宽度为0.5~2.5μm,Δ2为‑0.4%~0.0%,下陷包层单边宽度为3~7μm,Δ3为‑0.7%~‑0.9%,所述的共同外包层为纯二氧化硅层。本发明不仅能够同时支持850nm~950nm波长范围的多模传输和O波段/C波段的单模传输,而且能优化光纤结构和粘度匹配降低衰减,使光纤的串扰、各信道的宏弯和微弯损耗等综合性能处于良好的水平。

    一种宽带多模光纤预制棒的制造方法

    公开(公告)号:CN110981183B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201911292696.9

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明涉及一种宽带多模光纤预制棒的制造方法,包括以下步骤:取石英玻璃管作为沉积衬管,依次沉积下陷包层和内包层、芯层;将已沉积有下陷包层、内包层和芯层的衬管在1800~2300℃的高温下熔缩成一根芯棒;再制备外包层,制得光纤预制棒;其特征在于沉积芯层时通入反应气体SiCl4、O2,掺杂剂GeCl4和POCl3制得掺P、Ge的二氧化硅芯层,其中POCl3通过鼓泡器随载气O2进入衬管,载气O2与SiCl4流量的比值O/Si为4~7。用该方法制得的多模光纤预制棒所拉制的光纤具有明显较低的带宽‑波长敏感性,在较宽的波长范围都具有高带宽性能,能够适应850~1100nm波段的波分复用技术。

    一种高带宽多模光纤
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108594361B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201810344494.3

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种高带宽多模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形,分布指数α为2.0~2.3,芯层的半径R1为23~27μm,芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%,所述的芯层为锗磷氟Ge、P、F三元共掺的二氧化硅玻璃层,芯层中心的P的贡献量ΔP0为0.01%~0.30%,芯层与内包层交界的P的贡献量ΔP1为0.01%~0.30%,芯层中心P含量与芯层边缘保持一致,芯层F作为负掺杂剂,芯层中心到芯层边缘方向,F掺杂量呈递增状,芯层中心的F的贡献量ΔF0为0.0%~‑0.1%,芯层边缘F的贡献量ΔF1为‑0.40%~‑0.20%。本发明材料组成和芯包层结构设计合理,降低了色度色散,提高了带宽性能,并降低了光纤衰耗。

    一种光纤预制件、多模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN111676468A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010523611.X

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种光纤预制件、多模光纤及其制备方法,属于光纤制造技术领域,在PCVD工艺反应气体控制装置中增设若干路反应物的气路流量控制器控制支路,进而通过控制各路流量控制器的开度,使得反应物流经各路流量控制器分段控制后进入后续沉积过程参与沉积反应,得到光纤预制件。通过增设反应物气路控制对沉积至芯层的起始阶段与中间阶段进行反应物不同开度流量的多流量控制器的分段控制,保证了芯棒沉积至芯层边缘起始阶段掺杂剂流量控制的平稳性,提高了芯层起始阶段的折射率控制精度。由于低开度流量的控制平稳性增加,利于沉积至芯层阶段时反应物的稳定性,避免了反应物气流不稳定对芯层沉积阶段的扰动,提升了芯棒轴向均匀性。

    一种宽带多模光纤预制棒的制造方法

    公开(公告)号:CN110981183A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911292696.9

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明涉及一种宽带多模光纤预制棒的制造方法,包括以下步骤:取石英玻璃管作为沉积衬管,依次沉积下陷包层和内包层、芯层;将已沉积有下陷包层、内包层和芯层的衬管在1800~2300℃的高温下熔缩成一根芯棒;再制备外包层,制得光纤预制棒;其特征在于沉积芯层时通入反应气体SiCl4、O2,掺杂剂GeCl4和POCl3制得掺P、Ge的二氧化硅芯层,其中POCl3通过鼓泡器随载气O2进入衬管,载气O2与SiCl4流量的比值O/Si为4~7。用该方法制得的多模光纤预制棒所拉制的光纤具有明显较低的带宽-波长敏感性,在较宽的波长范围都具有高带宽性能,能够适应850~1100nm波段的波分复用技术。

Patent Agency Ranking