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公开(公告)号：CN106252246B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201610763464.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 长电科技(滁州)有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种锡球包裹的焊丝键合工艺及芯片封装方法，属于芯片封测制造领域。通过如下步骤：a、植锡球：使用球焊机将锡丝进行加热，在芯片每个需要焊线的压区，预植一个锡球；b、叠球：使用球焊机将焊丝进行加热，在锡球上堆叠键合球；c、拱丝打点：堆叠键合球后，向上拱丝拉弧到框架管脚，形成线弧，同时线弧不接触芯片，框架管脚形成月牙形焊点；d、回流焊：将步骤c芯片放入回流焊机，进行回流焊，完成焊丝键合工艺。它可以实现避免芯片压区受损的效果，焊丝键合工艺成本低。
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公开(公告)号：CN106158742A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610763616.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 长电科技(滁州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种平面凸点式无金属切割封装工艺及其封装结构，属于半导体制造领域。步骤如下：1)取金属基板；2)在金属基板正面、背面各自贴上干膜层；3)部分干膜层去掉；4)在金属基板上准备形成的基岛、连筋、引脚区域的正面镀上正面金属层，连筋处镀银；5)去除干膜层，漏出蚀刻区；6)半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的半蚀刻区域，形成基岛及引脚；7)芯片植入；8)打线；9)包封，后固化；10)在再次贴干膜层；11)去除金干膜层；12)在金属基板背面对不被干膜覆盖的区域进行全蚀刻，使基岛和引脚凸出塑封体表面；13)去除干膜层；14)形成管脚金属层；15)切割。它可以实现可靠性高，刀具磨损低的优点。
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公开(公告)号：CN106158742B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201610763616.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 长电科技(滁州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种平面凸点式无金属切割封装工艺及其封装结构，属于半导体制造领域。步骤如下：1)取金属基板；2)在金属基板正面、背面各自贴上干膜层；3)部分干膜层去掉；4)在金属基板上准备形成的基岛、连筋、引脚区域的正面镀上正面金属层，连筋处镀银；5)去除干膜层，漏出蚀刻区；6)半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的半蚀刻区域，形成基岛及引脚；7)芯片植入；8)打线；9)包封，后固化；10)在再次贴干膜层；11)去除金干膜层；12)在金属基板背面对不被干膜覆盖的区域进行全蚀刻，使基岛和引脚凸出塑封体表面；13)去除干膜层；14)形成管脚金属层；15)切割。它可以实现可靠性高，刀具磨损低的优点。
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公开(公告)号：CN106252246A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610763464.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 长电科技(滁州)有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种锡球包裹的焊丝键合工艺及芯片封装方法，属于芯片封测制造领域。通过如下步骤：a、植锡球：使用球焊机将锡丝进行加热，在芯片每个需要焊线的压区，预植一个锡球；b、叠球：使用球焊机将焊丝进行加热，在锡球上堆叠键合球；c、拱丝打点：堆叠键合球后，向上拱丝拉弧到框架管脚，形成线弧，同时线弧不接触芯片，框架管脚形成月牙形焊点；d、回流焊：将步骤c芯片放入回流焊机，进行回流焊，完成焊丝键合工艺。它可以实现避免芯片压区受损的效果，焊丝键合工艺成本低。
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