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公开(公告)号：CN106774592A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611151739.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。
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公开(公告)号：CN106774592B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201611151739.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。
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公开(公告)号：CN107861557B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711057698.0
申请日：2017-11-01
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN107861557A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711057698.0
申请日：2017-11-01
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。
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