公开(公告)号：CN106774592A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611151739.8

申请日：2016-12-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  朱令 ,  李红娟 ,  林金朝 ,  程飞鸿 ,  王良才 ,  李国权 ,  庞宇

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。

公开(公告)号：CN106774592B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201611151739.8

申请日：2016-12-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  朱令 ,  李红娟 ,  林金朝 ,  程飞鸿 ,  王良才 ,  李国权 ,  庞宇

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。