公开(公告)号：CN107861557B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201711057698.0

申请日：2017-11-01

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  徐海峰 ,  李红娟 ,  关晶晶 ,  程飞鸿 ,  郭涛 ,  林金朝 ,  李国权

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。

公开(公告)号：CN107861557A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711057698.0

申请日：2017-11-01

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  徐海峰 ,  李红娟 ,  关晶晶 ,  程飞鸿 ,  郭涛 ,  林金朝 ,  李国权

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。