公开(公告)号：CN106774592A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611151739.8

申请日：2016-12-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  朱令 ,  李红娟 ,  林金朝 ,  程飞鸿 ,  王良才 ,  李国权 ,  庞宇

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。

公开(公告)号：CN106774592B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201611151739.8

申请日：2016-12-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  朱令 ,  李红娟 ,  林金朝 ,  程飞鸿 ,  王良才 ,  李国权 ,  庞宇

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。

公开(公告)号：CN106655758B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610914839.5

申请日：2016-10-20

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  朱令 ,  李红娟 ,  谭金益 ,  林金朝 ,  庞宇 ,  李国权 ,  王伟

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明请求保护一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路，其还包括辐射加固电路以及偏置电路，所述基本电荷泵电路的信号输出端电连接所述辐射加固电路的信号输入端，所述辐射加固电路的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路的输出端电连接所述辐射加固电路的电压输入端；所述辐射加固电路用于对基本电荷泵电路的相应结点受到高能单粒子轰击时产生补偿电流以补偿单粒子瞬态脉冲电流；所述偏置电路用于为所述辐射加固电路提供偏置，使得所述辐射加固电路中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作。本电路提高锁相环的抗单粒子辐射能力。

公开(公告)号：CN106655758A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610914839.5

申请日：2016-10-20

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  朱令 ,  李红娟 ,  谭金益 ,  林金朝 ,  庞宇 ,  李国权 ,  王伟

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/07

Abstract: 本发明请求保护一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路，其还包括辐射加固电路以及偏置电路，所述基本电荷泵电路的信号输出端电连接所述辐射加固电路的信号输入端，所述辐射加固电路的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路的输出端电连接所述辐射加固电路的电压输入端；所述辐射加固电路用于对基本电荷泵电路的相应结点受到高能单粒子轰击时产生补偿电流以补偿单粒子瞬态脉冲电流；所述偏置电路用于为所述辐射加固电路提供偏置，使得所述辐射加固电路中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作。本电路提高锁相环的抗单粒子辐射能力。