公开(公告)号：CN117154394A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311231946.4

申请日：2023-09-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 潘武 ,  谭明森 ,  胡圣健 ,  朱子恒

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明请求保护一种基于凹形电极的太赫兹光电导天线，其包括：衬底层和金属电极层，所述衬底层设置在底部，衬底层上面为金属电极层；所述金属电极层采用两边开口且中间为口字型的凹形电极，所述衬底材料为低温砷化镓LT‑GaAs，所述衬底层上面的金属层电极由金属金Au构成，其轮廓线中的凹形部分为椭圆弧。本发明是在光电导天线不被击穿的情况下实现较大功率，其可用于成像、生物传感、通信领域和光电探测等领域。若偏置电压为30V，在平均功率为120mW的激光照射下，采用凹形电极的光电导天线产生的的光电流为133μA，而采用传统带状线电极的天线产生的的光电流为82μA，因此前者产生的光电流要比后者高出62％。

公开(公告)号：CN116780203A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310359828.5

申请日：2023-04-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 潘武 ,  朱子恒 ,  胡圣健 ,  谭明森 ,  陈鑫 ,  徐应松 ,  盛宏远

IPC: H01Q15/14 ,  H01Q15/00

Abstract: 本发明请求保护一种分束比可调的太赫兹分束器，其由超级单元陈列排列而成，超级单元由8*8个基础单元组成，其中4个基础单元按照相位差左右对称排布，每个基础单元包括介质层、开口圆环型金属图案层及金属反射层，所述开口圆环型金属图案层位于介质层上面，所述金属反射层位于介质层下方，其中金属反射层覆盖了一半介质层；金属反射层只覆盖位于对称轴左边的基础单元；超表面分束器的4种基础单元之间的相位差在0.7THz时为90°，当太赫兹波沿‑z轴方向垂直入射时，通过观察仿真软件中的远场图得到在0.7THz时得到四分束，分束比为1.2:1，当太赫兹波沿+z轴方向垂直入射时，通过观察仿真软件中的远场图得到在0.7THz时得到四分束，分束比为1.9:1。

公开(公告)号：CN115566520A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211324829.8

申请日：2022-10-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 郭永瑞 ,  张娜娜 ,  谭明森 ,  马勇 ,  潘武

IPC: H01S3/083 ,  H01S3/082

Abstract: 本发明公开了一种自选模自注入反馈单频激光器，包括泵浦源、耦合系统、输入耦合镜、激光晶体、输出耦合镜、全反射腔镜组、反射型温度体全息布拉格光栅和半导体制冷器件。通过内腔环形振荡器和外腔反射型温度体全息布拉格光栅共同构成复合腔振荡器，由反射型温度体全息布拉格光栅以恒定的共振衍射效率对入射激光进行模式自选择后再以恒定激光强度注入环形振荡器，实现复合腔环形振荡器稳定的单向运转，解决了复合腔激光器结构不稳定性的问题。极大地增加了腔内振荡光子的寿命，使输出激光具备高效率、低噪声、窄线宽的特性。

公开(公告)号：CN116937172A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311037305.5

申请日：2023-08-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 潘武 ,  朱子恒 ,  胡圣健 ,  谭明森

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明请求保护一种基于工字型双开口圆环结构的分束比可调的太赫兹分束器，其特征在于，包括8种“工”字型双开口圆环单元结构阵列，其中4种单元结构为有连续金属层的单元结构，即典型的“三明治”结构，从上至下依次为第一金属图案层、第一介质层和连续金属层，所述金属图案层为“工”字型双开口圆环型金属图案层，用于使太赫兹波入射时x轴方向上产生满足90°的相位差条件，在y轴方向上没有相位差；另外4种单元结构为与没有连续金属层的单元结构，即典型的双层结构，从上至下依次为第二金属图案层和第二介质层；其中有连续金属层的4个单元结构和没有连续金属层的4个单元结构按照相位差分别在阵列的左右排布，即阵列下方的连续金属层只覆盖位于对称轴左边的单元结构。

公开(公告)号：CN116544636A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310359820.9

申请日：2023-04-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 潘武 ,  胡圣健 ,  朱子恒 ,  谭明森 ,  陈鑫 ,  盛宏远 ,  徐应松

IPC: H01P1/20 ,  H01P11/00

Abstract: 本发明请求保护一种基于太赫兹频率选择表面的三频带滤波器及其制造工艺，其包括：若干个正方型滤波器单元结构周期排列而成，每个正方型滤波器单元结构包括介质层、嵌套式“十”字环型金属图案层和“十”字金属层，所述嵌套式“十”字环型金属图案层位于介质层上面，“十”字金属层位于介质层上方，当TE极化或TM极化的太赫兹波沿‑z轴方向垂直入射到所述的太赫兹三频带滤波器表面上时，耦合而产生三个谐振点，“十”字结构根据等效电路理论对应的谐振频率趋于零，因此能够将频率接近零的频谱降为零，形成第一个频带。该发明相对于现存的太赫兹多频带滤波器可实现三个频带的均匀滤波，三个频带的3dB带宽差异小，而三个频带的10dB带宽差异更小。