电池组的主动均衡拓扑结构和方法

    公开(公告)号:CN120033813A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510284002.6

    申请日:2025-03-11

    Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法,该拓扑结构包括:双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器,在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵,串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管,每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接,串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接;电容电感充放电电路的具体结构包括:一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联;电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵,其另一端连接双向DC‑DC变换器,实现对电池单体充放电;双向DC‑DC变换器包括变压器,在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管;实现控制电流流向和电压转换。

    一种平滑切换的环路选择器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119834614A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510020936.9

    申请日:2025-01-07

    Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域,具体涉及一种平滑切换的环路选择器,包括偏置电路、并联的四个环路比较器以及电压反馈电路,其中电流偏置电路用于为后级电路提供偏置电压,电压反馈电路用于根据并联的四个环路比较器输出的信号产生基准电压,并联的四个环路比较器用于与电压反馈电路结合产生复合反馈电压,产生基准电压和复合反馈电压用于送入到误差放大器中控制环路。本发明提出的环路选择电路采用了补偿网络复用策略,通过单个Type‑Ⅱ补偿网络实现四个环路的稳定,减少75%的补偿网络版图面积;另外通过引入多环路复合反馈设计,实现了环路了切换的平滑性。

    一种低时延可重构的维特比译码电路

    公开(公告)号:CN119051672A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411219850.0

    申请日:2024-09-02

    Abstract: 本发明涉及一种低时延可重构的维特比译码电路,属于无线数字通信技术领域。电路包括控制单元、可重构分支度量生成单元、可重构路径度量存储单元、加比选单元、幸存路径存储单元和回溯单元。控制单元接收码率、约束长度和截断长度信息,并根据接收到的信息生成重构信息,以控制后续译码电路的重构。可重构分支度量生成单元根据码率信息选择不同的分支度量生成单元,并采用软判决方法计算欧式距离,生成分支度量值。本发明通过可重构设计,实现了对多种码率和约束长度的支持,并通过改进型回溯算法降低了译码延时,提高了维特比译码电路的灵活性和可用度,使其能够满足高速通信和功耗敏感的应用需求。

    一种磁隔离编解码电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120017068A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510086336.2

    申请日:2025-01-20

    Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域,特别涉及一种磁隔离编解码电路,包括发射端电路、隔离变压器和接收端电路,发射端电路包括逻辑控制电路、振荡器、脉冲产生电路、驱动电路,接收端电路包括脉冲滤除电路、带隙基准电路、比较器电路、反相器和D触发器;本发明通过加入幅度变化,使高脉冲信号进一步上拉,低脉冲信号接地下拉,再将共模信号滤除,并额外再加入刷新脉冲帮助实时监控信号,极大提升了信号传输的抗干扰度和可靠性,有效保护了功率开关器件。

    一种RST/EN电路
    5.
    发明公开
    一种RST/EN电路 审中-公开

    公开(公告)号:CN120017019A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510092525.0

    申请日:2025-01-21

    Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域,涉及一种RST/EN电路,包括:迟滞比较器和脉冲宽度检测电路;迟滞比较器的输入端接RST/EN信号、输出端接脉冲宽度检测电路的输入端,脉冲宽度检测电路的输出端输出RST/EN_OUT信号;其中,RST/EN为复位/使能,RST/EN_OUT为复位/使能输出;本发明的迟滞比较器抗干扰能力强,脉冲宽度检测电路可以滤除毛刺,结合迟滞比较器和脉冲宽度检测电路,使得RST/EN电路输出的RST/EN_OUT信号的完整性好、质量高,避免由于噪声或失真导致的误差,从而能够有效提高驱动芯片的抗噪能力和减少外部干扰的影响,从而增强驱动芯片在复杂环境中的稳定性。

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