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公开(公告)号：CN120033813A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510284002.6
申请日：2025-03-11
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法，该拓扑结构包括：双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器，在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵，串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管，每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接，串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接；电容电感充放电电路的具体结构包括：一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联；电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵，其另一端连接双向DC‑DC变换器，实现对电池单体充放电；双向DC‑DC变换器包括变压器，在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管；实现控制电流流向和电压转换。
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公开(公告)号：CN119224607A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411381892.4
申请日：2024-09-30
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G01R31/385 , G01R31/367
Abstract: 本发明属于电池技术领域，涉及一种动力电池SOC估算修正方法；包括：根据动力电池特性构建电池二阶RC等效模型，获取模型的SOC‑OCV曲线；模型上电，并获取基准SOC值；对模型的参数进行检测，检测失败，则对模型进行掉电处理，否则获取模型输出电压值VBATT和其对应的SOC值；计算模型的反馈因子，根据反馈因子对VBATT和#imgabs0#的值进行更新；根据更新后的#imgabs1#值进行电流积分；根据电流积分结果对充电/放电末期数据进行修正；本发明通过引入反馈因子对VBATT进行更新，有效简化动力电池SOC估算复杂度并提升其估算精度，能够进一步校准SOC初始值并弥补开路电压带来的开环估计误差。
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公开(公告)号：CN119730271A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411931581.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法，包括正面阴极栅控MOS结构，由导电区、绝缘层、导电层、第一类型掺杂导电区域、第二类型重掺杂导电区、第一类型重掺杂导电区组成；中间区域漂移区结构，由掺杂导电区、第一类型导电区、第二类型导电区、单一杂质漂移区组成；背面阳极场截止结构，由第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层组成；本发明通过在传统槽栅场截止半超结IGBT的基础上引入载流子存储结构，增强了传统半超结IGBT的电导调制水平，优化了器件的折中关系。
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公开(公告)号：CN119835951A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411981610.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种阳极具有深缓变掺杂场截止层的半超结IGBT及其制备方法，IGBT包括正面阴极栅控MOS结构、中间区域半超结漂移区结构和背面阳极缓变掺杂场截止层；背面阳极缓变掺杂场截止层从上到下依次包括第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层，其中第二类型导电层与第一类型导电层掺杂类型不同，所述第二类型导电层的掺杂浓度从阳极表面向体内缓慢降低，且掺杂深度在10μm～30μm之间、掺杂浓度峰值在1e15cm‑3量级。本发明通过在传统载流子存储半超结IGBT的基础上在阳极引入缓变掺杂的场截止层，减缓了半超结IGBT的关断电压过冲。
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