公开(公告)号：CN114959707B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202210600311.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 重庆赛宝工业技术研究院有限公司 ,  中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 江平 ,  李勇 ,  郭小童 ,  孙朝宁

IPC: C23F1/28 ,  G01N1/32

Abstract: 本发明涉及金相检验技术领域，特别是涉及一种刻蚀液及其制备方法与应用。所述刻蚀液，包括：三氯化铁、磷酸、浓硝酸和浓盐酸。本发明中，三氯化铁、磷酸、浓硝酸和浓盐酸复配成的刻蚀液能够均匀显示镍材的晶粒形貌，晶界清晰，不会造成过腐蚀现象。

公开(公告)号：CN114959707A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210600311.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 重庆赛宝工业技术研究院有限公司 ,  中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 江平 ,  李勇 ,  郭小童 ,  孙朝宁

IPC: C23F1/28 ,  G01N1/32

Abstract: 本发明涉及金相检验技术领域，特别是涉及一种刻蚀液及其制备方法与应用。所述刻蚀液，包括：三氯化铁、磷酸、浓硝酸和浓盐酸。本发明中，三氯化铁、磷酸、浓硝酸和浓盐酸复配成的刻蚀液能够均匀显示镍材的晶粒形貌，晶界清晰，不会造成过腐蚀现象。

公开(公告)号：CN118969673A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411042997.7

申请日：2024-07-31

Applicant: 重庆赛宝工业技术研究院有限公司

Inventor： 胡林 ,  郭小童 ,  胡波 ,  兰楠 ,  李勇 ,  张吉 ,  杨智帆 ,  王刚 ,  江平

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种塑封GaAs器件开封方法，包括：包括以下步骤：S1、将器件芯片表面的塑封料打薄；S2、将腐蚀液1水浴加热至75℃‑90℃，再用腐蚀液1对器件进行腐蚀至器件芯片露出；S3、用清洗液清洗，再用去离子水清洗后，烘干；S4、腐蚀液2对器件进行腐蚀，腐蚀时间为5s至15s；S5、用清洗液清洗，再用去离子水清洗。采用本方案设计的一种塑封GaAs器件开封方法不会损坏器件芯片钝化层和金属化层。

公开(公告)号：CN118050393A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410193726.5

申请日：2024-02-21

Applicant: 重庆赛宝工业技术研究院有限公司

Inventor： 江平 ,  李勇 ,  谢奉杰 ,  覃政委 ,  彭文静

IPC: G01N23/2251 ,  G01N23/2202 ,  G01N1/32 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明属于金属间化合物表面处理技术领域，提供一种浸蚀剂、金属间化合物显示与厚度测量方法，该浸蚀剂包括如下质量份的原料：1～2.5份三氯化铁、10～25份水、1～5份冰醋酸、1～10份双氧水。本发明浸蚀剂能够通过一次腐蚀，清晰、真实、无假象地显示所有金属间化合物，使其界面清晰，以满足金属间化合物的厚度检测需要。本发明显示金属间化合物的方法显示出的金属间化合物边界清晰，便于观察其微观形貌和进行厚度测量。