一种塑封GaAs器件开封方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118969673A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411042997.7

    申请日:2024-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种塑封GaAs器件开封方法,包括:包括以下步骤:S1、将器件芯片表面的塑封料打薄;S2、将腐蚀液1水浴加热至75℃‑90℃,再用腐蚀液1对器件进行腐蚀至器件芯片露出;S3、用清洗液清洗,再用去离子水清洗后,烘干;S4、腐蚀液2对器件进行腐蚀,腐蚀时间为5s至15s;S5、用清洗液清洗,再用去离子水清洗。采用本方案设计的一种塑封GaAs器件开封方法不会损坏器件芯片钝化层和金属化层。

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