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公开(公告)号:CN119044708A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411084589.8
申请日:2024-08-08
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26 , G01R31/327 , G01R31/00 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种基于有限测量下柔直换流阀功率子模块状态反演方法,属于直流电网领域。基于有限的换流阀子模块内部关键器件的电压、电流的测量,通过多物理场耦合效果和换流阀故障树模型,计算换流阀的可靠性指标,反演出换流阀子模块内部的状态分布情况,既保证了传感器的可靠工作,又大大节省了计算时间。同时,还考虑了运行工况的实际情况,使得换流阀子模块内部状态监测更加精确。
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公开(公告)号:CN117973051A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410163884.6
申请日:2024-02-05
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F30/28 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本发明涉及一种电驱控制一体化系统级热仿真方法、存储介质及计算机,属于电子设备领域。该方法包括以下步骤:计算IGBT模块的损耗和FWD单元开关损耗;计算薄膜电容器的损耗;分析IGBT模块热阻并计算结温;建立电容模块热模型;建立驱动板和控制板热模型;进行系统级热仿真计算。本发明计算出电驱控制一体化系统发热器件,即IGBT模块、电路板上电子元器件和电容器的损耗。建立IGBT器件热阻等效模型,引用传热学与流体力学基本理论公式,得到IGBT用水冷散热器的热阻计算方法,并由此热阻值直接计算IGBT模块结温。
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公开(公告)号:CN117973135A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410163886.5
申请日:2024-02-05
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F17/10 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种基于数字孪生的SiC MOSFET器件热分布实时监测方法,属于功率半导体器件领域,包括以下步骤:S1:对SiC MOSFET器件进行有限元建模,将多物理场有限元模型的边界条件作为训练数据,所述边界条件为功率损耗;S2:构建数字孪生体,利用所述训练数据进行训练;S3:通过电流传感器和电压传感器采集SiC MOSFET器件的电流和电压数据,输入数字接口计算功率损耗;S4:数字接口将计算的功率损耗输入数字孪生体,计算焊料层的温度分布。
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