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公开(公告)号：CN119277878A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411382284.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗有机场效应晶体管(OFET)存储器阵列及其制备方法和应用，属于半导体存储器阵列的技术领域。本发明的存储器阵列采用OFET存储器作为基本器件单元，其介电层利用溶液加工的锌盐掺杂型聚电解质介电材料，可实现器件的低电压运行和有效电学性质调控。本发明的OFET存储器阵列具有良好存储特性，可通过编程栅极脉冲电压，实现对人物图像中不同像素点的区分和有效写入读取。较之传统技术，本发明的OFET存储器阵列可以简化制造过程、降低成本，不仅有着结构简单、性能优、能耗低等优势，还易于集成为高密度柔性存储阵列实现有效的电脉冲成像和图片的平滑处理与计算，为存储技术的发展及成像、图像处理与神经形态计算应用提供新的思路。
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公开(公告)号：CN117968896A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410169336.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及基于绿色溶剂空气加工的低电压有机晶体管触觉传感器及其制备方法和应用，属于半导体器件和传感技术领域。本发明的触觉传感器采用顶栅底接触结构，由依次设置的柔性基底、源漏电极、有机半导体层和栅极介电层以及支撑层和柔性栅极组成。其中，有机半导体层使用非卤型绿色溶剂在空气环境加工而成，工艺简便、成本低，有利于促进大规模绿色柔性电子器件制造和产业应用。另外，本发明的触觉传感器采用双层结构的栅极介电层，可结合聚电解质介电层和界面钝化介电层的优势，使得器件在‑2V低工作电压内实现超高灵敏度和快速响应特性，并且可将器件集成为多像素的柔性触觉传感阵列，为低功耗电子设备的构筑及成像与可穿戴应用提供了有益方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118019358A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410192577.0
申请日：2024-02-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及基于单光敏层材料的宽光谱光电突触晶体管及其制备方法和用途，属于半导体技术领域。本发明采用宽吸收的有机聚合物半导体材料PCDTFBT(结构式为#imgabs0#n为正整数)作为所述突触晶体管的单光敏半导体层，开发了对紫外至近红外区多波长光实现高效突触响应的有机光电突触晶体管。本发明的突触晶体管具有良好突触功能，并可通过调节栅电压和源漏电压，实现对不同波长光脉冲信号的精确识别和响应。较之传统技术，本发明的宽光谱光电突触晶体管简化了制造过程、降低了成本，具有结构简单、性能优、能耗低等优势，还可以集成为柔性突触阵列模拟人类动态学习和遗忘过程，为人工光电突触技术的发展和光学成像、智能芯片与神经形态计算应用提供新的思路。
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公开(公告)号：CN117337064A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311550308.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及p型多元锌基氧化物半导体空穴传输界面薄膜材料及其制备方法和应用，属于半导体光电子技术领域。该材料为至少掺杂一种过渡金属元素(Mn、Fe、Co、Ni或Cu)的ZnO半导体界面材料。其中，所掺杂的过渡金属元素在整个材料中所有金属元素中的摩尔含量为1％～50％。其通过温和高效的溶液加工成膜方法并结合低温退火后处理工艺制备而成。该界面薄膜材料透光率高、稳定性好且具有p型空穴传输特性，将其应用于有机太阳能电池中，器件的能量转换效率达到15％以上，长期储存后仍可保持初始效率的80％以上，可有效解决传统有机或无机空穴传输界面层器件性能低的问题，在能源光电领域具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN116948316A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310959860.7
申请日：2023-07-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物复合半导体透明薄膜及其制备方法和在有机场效应晶体管中的应用，属于半导体电子技术领域。本发明的聚合物复合半导体透明薄膜，含有高光透聚合物介电材料聚苯乙烯(PS)和良好电荷传输特性的有机共轭聚合物半导体材料(PCDTFBT)，其结构式为#imgabs0#n为正整数。所述高光透聚合物介电材料和有机共轭聚合物半导体材料相容性好，可溶液加工形成连续单一的高质量共混异质薄膜。由其制备的低功耗有机场效应晶体管(OFET)具有高柔性、光稳定性和长期空气稳定性的特点，经高湿度空气环境放置530多天后依然正常工作且迁移率高达4.85cm2V‑1s‑1，在光电子器件及电气设备领域将具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119307142A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411385175.9
申请日：2024-09-30
Applicant: 重庆大学
IPC: C09D133/02 , C09D171/02 , C09D7/61 , H10K10/46 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用，属于介电薄膜材料和器件的技术领域。本发明基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料，具有显著增强的电容和离子迁移能力，可用于开发对不同脉冲电压具有多电平响应的有机晶体管存储器，器件在‑1.5伏低工作电压下可实现0.548伏的宽记忆窗口。该类存储器还表现出良好的静态和动态存储特性，并可通过编程栅极脉冲电压，实现对不同大小记忆窗口的精确调控和识别。本发明构筑的新型聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其多级存储特性的有机晶体管存储器，具有结构简单、性能优良、易于规模化制造等优点，在低功耗光电子器件及存储技术领域将呈现良好的推广应用前景。
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公开(公告)号：CN119997720A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510116644.5
申请日：2025-01-24
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于室温溶液加工紫外光交联介电材料的光电突触晶体管及其制备方法和用途，属于介电材料和光电子器件领域。本发明采用室温溶液加工的紫外光交联有机介电材料c‑DPHA(其单体DPHA结构式为#imgabs0#作为突触晶体管的介电层，通过结合光敏有机半导体层开发了柔性光电突触晶体管。该突触晶体管具有良好突触功能，可通过调节光脉冲的参数，实现模仿生物突触功能的多种特性。较之传统技术，本发明的光电突触晶体管简化了制造过程，具有耗时短、结构简单、性能优等优势，可集成为柔性突触阵列模拟人脑记忆学习和遗忘过程，为低成本人工突触技术的发展和光电探测与成像、智能终端、传感芯片、神经形态计算、感存算一体应用提供新的思路。
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