公开(公告)号：CN117337064A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311550308.9

申请日：2023-11-20

Applicant: 重庆大学

Inventor： 尹志刚 ,  蔡丽娜 ,  赵曜申 ,  柳子杨 ,  朱同庆 ,  赖智翔

IPC: H10K30/86 ,  H10K30/50 ,  H10K30/15 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明涉及p型多元锌基氧化物半导体空穴传输界面薄膜材料及其制备方法和应用，属于半导体光电子技术领域。该材料为至少掺杂一种过渡金属元素(Mn、Fe、Co、Ni或Cu)的ZnO半导体界面材料。其中，所掺杂的过渡金属元素在整个材料中所有金属元素中的摩尔含量为1％～50％。其通过温和高效的溶液加工成膜方法并结合低温退火后处理工艺制备而成。该界面薄膜材料透光率高、稳定性好且具有p型空穴传输特性，将其应用于有机太阳能电池中，器件的能量转换效率达到15％以上，长期储存后仍可保持初始效率的80％以上，可有效解决传统有机或无机空穴传输界面层器件性能低的问题，在能源光电领域具有良好应用前景。