公开(公告)号：CN119307142A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411385175.9

申请日：2024-09-30

Applicant: 重庆大学

Inventor： 尹志刚 ,  刘昌东 ,  王晓雁 ,  马凤廷

IPC: C09D133/02 ,  C09D171/02 ,  C09D7/61 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用，属于介电薄膜材料和器件的技术领域。本发明基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料，具有显著增强的电容和离子迁移能力，可用于开发对不同脉冲电压具有多电平响应的有机晶体管存储器，器件在‑1.5伏低工作电压下可实现0.548伏的宽记忆窗口。该类存储器还表现出良好的静态和动态存储特性，并可通过编程栅极脉冲电压，实现对不同大小记忆窗口的精确调控和识别。本发明构筑的新型聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其多级存储特性的有机晶体管存储器，具有结构简单、性能优良、易于规模化制造等优点，在低功耗光电子器件及存储技术领域将呈现良好的推广应用前景。