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公开(公告)号：CN119638372A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411830534.7
申请日：2024-12-12
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/32 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于靶材制备技术领域，公开了一种密度可控且均匀的氧化铟铈靶材的制备方法。通过（1）将氧化铟、氧化铈和聚丙烯酸铵加到去离子水中，经球磨，干燥和筛网，得粉体；（2）粉体经两段煅烧处理，得煅烧粉；（3）将煅烧粉与去离子水、粘结剂和分散剂混合，进行二次球磨，得浆料；（4）向浆料中加入消泡剂，通过喷雾造粒、模压成型得到RPD靶材素坯；（5）RPD靶材素坯通过冷等静压和煅烧后得到氧化铟铈靶材。通过控制粉体处理和烧结技术，制备出了密度可控的RPD靶材，密度可以根据实际需要控制在60‑85%之间。另外，在精准控制密度的同时，RPD靶材内部的晶粒尺寸也均匀分布，这对后续制备高性能的薄膜提供有利条件。RPD靶材沉积速率比较快，生产效率高，可以满足工业大规模生产的需求。
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公开(公告)号：CN119061364A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411184827.2
申请日：2024-08-27
Abstract: 本发明实施例公开了超细晶金属靶材及其制备方法；方法包括：获取金属锭材；将金属锭材进行快速旋锻处理，到设置温度时对金属锭材进行深冷处理，得到超细晶金属靶材；其中，快速旋锻处理包括：金属锭材在旋转台的带动下转动，转动过程中从金属锭材的上方、侧面施压锻造；其中，旋转台的旋转频率设置为0.2～20Hz，旋锻锤头的工作频率设置为100～240次/min，打击能量大于0.1kJ。旋锻工艺使金属锭材产生剧烈塑性形变，在适宜温度下进行快速深冷抑制动态再结晶过程的晶粒长大，得到了超细晶金属靶材；制备方法流程短，操作简单，成本低廉，成材率高，能够实现多种超细晶金属靶材的制备，在金属靶材制备领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN118834065A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410807595.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/622 , C23C14/35 , B02C21/00 , B28B1/26 , B01F27/90
Abstract: 本发明公开了一种联合破碎ITO废靶回收利用的方法，包括以下步骤：将溅射剩余的ITO废靶进行表面超声清洗，将清洗干净后的废ITO靶材进行纳米化处理，第一步：用鄂式破碎机将块状的ITO废靶粉碎成毫米级小颗粒；第二步:用超微气流磨将小颗粒的ITO废靶进一步粉碎成亚微米级颗粒；第三步：用砂磨机将微米级粉末与一定质量的水，分散剂，混合为固含量为50‑75％的浆料后进一步细化成纳米级颗粒。将第三步后的浆料经过烘干的粉末与设定比例的水，分散剂，粘结剂混合，得到固含量大于80％的ITO浆料，经过压力注浆得到ITO素坯，在经过干燥处理、脱脂和烧结处理得到平均晶粒尺寸为2‑10μm，相对密度大于99.5％，电阻率小于0.15mΩ·cm的ITO溅射靶材。
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公开(公告)号：CN116002749B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310048494.X
申请日：2023-01-31
Applicant: 郑州大学
IPC: C01G15/00 , C04B35/453 , C04B35/626 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体的制备方法。该方法包括：分别配置设定浓度的镧系稀土盐水溶液、铟盐水溶液、锌盐水溶液和沉淀剂水溶液；将铟盐水溶液倒入反应器中；在搅拌条件下，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到3～5时，将镧系稀土盐水溶液加入反应器，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到6～8时，将锌盐水溶液加入反应器，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到9～11时，停止滴加沉淀剂水溶液，得到含镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液；将含有镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液升温搅拌熟化、冷却静置、分离洗涤，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体；将镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体干燥、高温煅烧，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体。
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公开(公告)号：CN117139372A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311180291.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种强织构化高纯铜靶材的制备方法。该制备方法包括：多晶铜块退火制备高纯单晶铜块；高纯单晶铜块进行冷轧处理，冷轧方向平行于轧面，冷轧减薄量为80％～98％，每道次下压变形量为5％～20％；冷轧处理后的高纯单晶铜块进行淬火处理，然后进行抛光处理，得到强织构化高纯铜靶材，其中，强织构化高纯铜靶材中的晶粒尺寸小于30μm，强织构化高纯铜靶材中的主织构占比大于50％。本发明实施例公开的制备方法，多晶铜块退火制备高纯单晶铜块，然后控制冷轧条件、淬火条件调控高纯单晶铜块的织构及晶粒尺寸，制得的强织构化高纯铜靶材晶粒尺寸小，主织构占比高。本发明实施例公开的强织构化高纯铜靶材磁控溅射成膜速率高，膜层质量好、厚度分布均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116716577A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310707873.5
申请日：2023-06-15
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种IZO薄膜及其制备方法。IZO薄膜的制备方法包括：将石英玻璃片粘贴在磁控溅射腔体内的基板上，将IZO靶材设置在磁控溅射腔体内，并调整IZO靶材与基板的距离为50～90mm；对磁控溅射腔体抽真空，至4～6×10‑4pa时，以一定流量向磁控溅射腔体内通入氩气或氧气和氩气的混合气体，其中，混合气体中氩气与氧气的体积比为40:1～4；调节磁控溅射腔体的溅射功率为60～120W、溅射气压为0.5～0.8pa、溅射时间为10～40min，对IZO靶材进行磁控溅射，得到IZO薄膜。
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公开(公告)号：CN116575006A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310666464.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法。该制备方法包括步骤：S1、取设定量的铟盐溶液、锌盐溶液、稀土盐溶液混合，并加入设定量的纯水、稳定剂和有机溶剂，搅拌得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液旋涂在硅晶片上，对涂覆有前驱体溶液的硅晶片进行干燥；S3、干燥后的硅晶片在设定温度下退火处理，得到稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜；其中，退火处理的温度为200～400℃；S4、通过铟颗粒将稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜粘在钛背板上，得到稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶。本发明实施例公开的稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶的制备方法制备工艺简单，节省能耗，成型产品透光率高，电阻率低。
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公开(公告)号：CN115198356B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210837058.6
申请日：2022-07-15
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明提供了一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法，属于单晶金属制备技术领域。本发明将金属置于底部带有微孔的熔炼模具中进行挤压熔炼，得到金属熔体；所述金属熔体通过所述熔炼模具底部的微孔进入铸型模具，在金属单晶薄膜的诱导下进行金属单晶逐层凝固生长，得到特定取向的大规格金属单晶。该制备方法制备得到的金属单晶的直径可达150～300mm，且制备流程短，操作简单，成本低，成材率高，能实现多规格任意特定取向的单晶金属制备。
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公开(公告)号：CN116253556A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310073135.X
申请日：2023-02-07
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C23C14/35 , C23C14/08 , H01L27/12 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；得到的混合粉体经过放电等离子烧结；烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。得到的氧化铟锡锌靶材载流子迁移率高，能够作为性能优良的原料制备性能优良的氧化物半导体和薄膜晶体管，在半导体显示技术领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN115198357A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210848319.4
申请日：2022-07-19
Applicant: 河南国玺超纯新材料股份有限公司 , 郑州大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜的制备方法，属于磁控溅射靶材制备技术领域。本发明提供的单晶铜的制备方法为将多晶铜依次进行酸洗、真空熔炼和半连续铸造，得到单晶铜，单晶铜的直径可达200～400mm，且制备方法简单，成本低。
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