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公开(公告)号：CN119913463A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510118137.5
申请日：2025-01-24
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明实施例公开了一种晶粒细小均匀的ICO溅射靶材及其制备方法；方法包括：原料粉体制备成高密度靶材素坯，靶材素坯进行脱脂处理；脱脂温度为500～750℃，升温速率为0.5～2℃/min，保温时间为180～300min；继续升温至第一烧结温度进行第一次烧结；第一烧结温度为1450～1600℃，升温速率为2～4℃/min，烧结时间为20～180min；降温至第二烧结温度进行第二次烧结；第二烧结温度比第一烧结温度低10～100℃，降温速率为2～5℃/min，烧结时间为1200～1800min；降温至第三烧结温度进行第三次烧结；第三烧结温度为800～1000℃，降温速率为0.5～2℃/min，烧结时间为180～360min；以降温速率2～5℃/min降温至200℃；然后自然降温至室温，得到晶粒细小、均匀的ICO靶材。
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公开(公告)号：CN119642575A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510087210.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明属于金属冶炼技术领域，提供了一种金属热还原制备难熔金属及低价氧化物的装置和方法。包括炉管、反应容器、加热装置和驱动装置；所述反应容器设置于所述炉管的内部；所述加热装置设置于所述炉管的外表面；所述驱动装置用于驱动所述反应容器在所述炉管内移动。本发明利用该装置可实现难熔金属及低价氧化物的自动连续化生产，提高还原效率，降低成本，还可以避免人为因素的干扰，保证难熔金属及低价氧化物产品的一致性，能够实现难熔金属及低价氧化物的大规模生产，满足工业化生产的需求。
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公开(公告)号：CN119076960A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411227562.X
申请日：2024-09-03
Applicant: 郑州大学
IPC: B22F9/22
Abstract: 本发明提供了一种钼粉连续还原离心传输装置与方法，涉及钼粉还原技术领域，包括外筒和旋转内筒；外筒同轴环绕并包围旋转内筒设置，以两者之间形成一个相对隔离且内部气体可流通的空间；旋转内筒具有还原区，且第一端与第一旋转内管密封连通，第一旋转内管与旋转驱动机构连接，用于将原料仓的粉末引入旋转内筒；旋转内筒的进料端设置有限位板，限位板与旋转内筒的内周壁之间形成连通还原区的进料间隙；旋转内筒的第二端与第二旋转内管密封连通，第二旋转内管用于向旋转内筒的还原区输入氢气。本发明将传统钼粉还原中的两步或三步法简化为一步法，通过旋转内筒的持续旋转和氢气的连续输入，实现从原料粉末到钼粉的连续、高效、均匀还原。
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公开(公告)号：CN118755989A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410892652.4
申请日：2024-07-04
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种银合金及银合金靶材的制备方法。该银合金含有固溶元素、非固溶元素、银和不可避免的杂质，其加入的固溶元素和非固溶元素摩尔百分含量分别为0.1～5％和0.05～1％。将按照银合金元素组成比例称取的单质原料装入真空感应熔炼炉内的坩埚中，在氩气气氛下进行熔炼和浇注，得到银合金铸锭；所得银合金铸锭进行交叉轧制，然后在真空或氩气保护气氛条件下进行热处理，得到晶粒细小的银合金板坯；所得银合金板坯进行机加工，得到银合金靶材；所得银合金靶材进行磁控溅射，得到银合金薄膜。利用本发明制备的银合金靶材晶粒细小、氧含量低，溅射沉积薄膜具有良好的耐湿热性能。
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公开(公告)号：CN118666571A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410714191.1
申请日：2024-06-04
IPC: C04B35/053 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供了一种高致密氧化镁靶材及其制备方法和应用，属于新材料制造及应用技术领域。本发明通过将镁源粉体原料、溶剂、功能助剂混合后砂磨得到浆料；然后将浆料通过压力注浆、保压得到靶材素坯；最后将靶材素坯依次经过干燥处理、脱脂烧结得到高致密氧化镁陶瓷靶材。在制备过程中不使用烧结助剂、不采用热压方法，没有烧结助剂和碳污染导致的纯度不足问题，同时脱脂和烧结步骤相结合简化了制备过程，在常压下进行即可降低了成本和操作难度，适用于工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116514575B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310497022.2
申请日：2023-05-05
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B38/06 , C04B38/02 , C04B35/08 , C04B35/626 , C04B35/622 , C25C7/02
Abstract: 本发明涉及半导体封装材料技术领域，尤其涉及一种氧化铍电极材料、铍‑氧化铍金属陶瓷及其制备方法；以氧化铍原料和成孔剂为原料，经成型、烧结处理，制备得到所述氧化铍电极材料。铍‑氧化铍金属陶瓷制备方法包括：以氧化铍电极材料用作为阴极，在导电介质中电化学还原，由氧化铍电极材料制备铍/氧化铍固体；分离铍/氧化铍固体，粉末化处理得到铍/氧化铍金属陶瓷，解决了现有技术中铍/氧化铍金属陶瓷制备能耗大、原料损失大、原料成本高和难以精确控制原料比例等问题，避免了金属铍的引入，简化了工艺步骤，降低了成本，并实现了反应程度精确化控制制备不同含量比例的铍‑氧化铍金属陶瓷。
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公开(公告)号：CN118497673A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410628851.4
申请日：2024-05-21
Abstract: 本发明实施例公开了用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜及其制备方法；方法包括，以铯钨青铜靶材为溅射靶材，以平面基材为基底，在磁控溅射装置内进行溅射镀膜，在基底材料得到铯钨青铜薄膜，对铯钨青铜薄膜进行热处理，得到用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，其中，热处理温度设置在200～450℃之间。热处理为在溅射镀膜过程中，对基底进行加热，热处理过程与溅射成膜过程同步进行；或者在溅射镀膜结束后，对得到的铯钨青铜薄膜进行热处理。得到的可见光透过率高、近红外光阻隔率高、紫外阻隔率高的高质量铯钨青铜薄膜作为应用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，还能制作成铯钨青铜薄膜基复合膜；在近红外屏蔽膜领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN114657604B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202210371271.2
申请日：2022-04-11
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了基于二氧化碳捕获碳化电解精炼高纯金属的方法。具体包括：以金属氧化物电极为第一阴极、石墨电极为第一阳极、熔盐电解质组成第一电解体系；将二氧化碳气体通入第一电解体系进行恒电压电解，二氧化碳在熔盐电解质中反应生成碳酸根离子，生成的碳酸根离子在第一阴极上被还原为单质碳，单质碳和脱除部分氧离子的金属氧化物在第一阴极上反应生成金属碳氧固溶体；以生成金属碳氧固溶体的第一阴极为第二阳极，金属电极为第二阴极，与熔盐电解质组成第二电解体系；第二电解体系进行恒电压电解，金属碳氧固溶体被氧化，在第二阴极被还原析出高纯金属，在第二阳极上产出二氧化碳或一氧化碳。
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公开(公告)号：CN118308696A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410514647.X
申请日：2024-04-26
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明实施例公开了基于镍钛预合金化的钼镍钛合金靶材的制备方法，包括镍钛预合金化得到镍钛预合金粉末的步骤S1和镍钛预合金粉末与钼粉末烧结得到钼镍钛合金靶材的步骤S2，其中，步骤S1包括：设定量的镍粉与钛粉混合，在惰性气氛环境下球磨处理，得到镍钛预合金粉末；步骤S2包括：S201、镍钛预合金粉末与钼粉混合，得到钼镍钛混合粉体；S202、钼镍钛混合粉体烧结，得到钼镍钛合金靶材。步骤S1中，球磨得到镍钛预合金粉末的过程中加入设定量的硬脂酸，有利于极大提高镍钛预合金粉末的收粉率，达到99％以上，并使用该预合金粉末制备出钼镍钛合金靶材，通过降低钛原子的固溶度和高硬度相Ni3Ti的含量，使得塑性相比于普通混粉得到提高。
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公开(公告)号：CN118256868A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363410.6
申请日：2024-03-28
IPC: C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/54 , C30B29/22 , C30B23/00 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。
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