公开(公告)号：CN115198356A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210837058.6

申请日：2022-07-15

Applicant: 郑州大学

Inventor： 刘苗 ,  孙本双 ,  丁振卿 ,  何季麟 ,  朱锦鹏

IPC: C30B29/02 ,  C30B19/00 ,  C30B19/12

Abstract: 本发明提供了一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法，属于单晶金属制备技术领域。本发明将金属置于底部带有微孔的熔炼模具中进行挤压熔炼，得到金属熔体；所述金属熔体通过所述熔炼模具底部的微孔进入铸型模具，在金属单晶薄膜的诱导下进行金属单晶逐层凝固生长，得到特定取向的大规格金属单晶。该制备方法制备得到的金属单晶的直径可达150～300mm，且制备流程短，操作简单，成本低，成材率高，能实现多规格任意特定取向的单晶金属制备。

公开(公告)号：CN119753596A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411990099.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 郑州大学

Inventor： 刘明翔 ,  李世政 ,  丁振卿

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/02 ,  C22C9/01 ,  C22F1/08 ,  B21B3/00 ,  B21J5/00

Abstract: 本发明实施例公开了高纯铜铝合金靶材及其制备方法；方法包括步骤：S1、铜、铝原料按照设定比例混合，在惰性气氛下熔炼，浇铸得到高纯铜铝合金铸锭；高纯铜铝合金铸锭中铝的质量含量为0.1～1％，铜与铝的总质量含量不小于99.9999％；S2、高纯铜铝合金铸锭依次进行纵向锻造、横向锻造；锻造温度不大于80℃，锻造变形量为30～50％；S3、锻造后的高纯铜铝合金进行交叉轧制；交叉轧制温度不大于80℃，每道次旋转角度为15～135°；每道次变形量为5～20％，总变形量为70～95％；S4、交叉轧制后的高纯铜铝合金进行热处理，经水冷后得到高纯铜铝合金靶材坯料。

公开(公告)号：CN119061364A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411184827.2

申请日：2024-08-27

Applicant: 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

Inventor： 刘苗 ,  丁振卿 ,  孙本双 ,  何季麟 ,  王成铎

IPC: C23C14/34 ,  B23P15/00

Abstract: 本发明实施例公开了超细晶金属靶材及其制备方法；方法包括：获取金属锭材；将金属锭材进行快速旋锻处理，到设置温度时对金属锭材进行深冷处理，得到超细晶金属靶材；其中，快速旋锻处理包括：金属锭材在旋转台的带动下转动，转动过程中从金属锭材的上方、侧面施压锻造；其中，旋转台的旋转频率设置为0.2～20Hz，旋锻锤头的工作频率设置为100～240次/min，打击能量大于0.1kJ。旋锻工艺使金属锭材产生剧烈塑性形变，在适宜温度下进行快速深冷抑制动态再结晶过程的晶粒长大，得到了超细晶金属靶材；制备方法流程短，操作简单，成本低廉，成材率高，能够实现多种超细晶金属靶材的制备，在金属靶材制备领域有良好应用前景。

公开(公告)号：CN117139372A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311180291.2

申请日：2023-09-13

Applicant: 郑州大学

Inventor： 刘苗 ,  张华涛 ,  王成铎 ,  孙本双 ,  李庆奎 ,  丁振卿

IPC: B21B3/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/35 ,  B21B37/58

Abstract: 本发明公开了一种强织构化高纯铜靶材的制备方法。该制备方法包括：多晶铜块退火制备高纯单晶铜块；高纯单晶铜块进行冷轧处理，冷轧方向平行于轧面，冷轧减薄量为80％～98％，每道次下压变形量为5％～20％；冷轧处理后的高纯单晶铜块进行淬火处理，然后进行抛光处理，得到强织构化高纯铜靶材，其中，强织构化高纯铜靶材中的晶粒尺寸小于30μm，强织构化高纯铜靶材中的主织构占比大于50％。本发明实施例公开的制备方法，多晶铜块退火制备高纯单晶铜块，然后控制冷轧条件、淬火条件调控高纯单晶铜块的织构及晶粒尺寸，制得的强织构化高纯铜靶材晶粒尺寸小，主织构占比高。本发明实施例公开的强织构化高纯铜靶材磁控溅射成膜速率高，膜层质量好、厚度分布均匀。

公开(公告)号：CN115198356B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210837058.6

申请日：2022-07-15

Applicant: 郑州大学

Inventor： 刘苗 ,  孙本双 ,  丁振卿 ,  何季麟 ,  朱锦鹏

IPC: C30B29/02 ,  C30B19/00 ,  C30B19/12

Abstract: 本发明提供了一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法，属于单晶金属制备技术领域。本发明将金属置于底部带有微孔的熔炼模具中进行挤压熔炼，得到金属熔体；所述金属熔体通过所述熔炼模具底部的微孔进入铸型模具，在金属单晶薄膜的诱导下进行金属单晶逐层凝固生长，得到特定取向的大规格金属单晶。该制备方法制备得到的金属单晶的直径可达150～300mm，且制备流程短，操作简单，成本低，成材率高，能实现多规格任意特定取向的单晶金属制备。

公开(公告)号：CN115198357A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210848319.4

申请日：2022-07-19

Applicant: 河南国玺超纯新材料股份有限公司 ,  郑州大学

Inventor： 刘苗 ,  陈煜宏 ,  丁振卿 ,  孙本双 ,  杨彦春 ,  朱锦鹏

IPC: C30B29/02 ,  C30B11/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了一种单晶铜的制备方法，属于磁控溅射靶材制备技术领域。本发明提供的单晶铜的制备方法为将多晶铜依次进行酸洗、真空熔炼和半连续铸造，得到单晶铜，单晶铜的直径可达200～400mm，且制备方法简单，成本低。