公开(公告)号：CN101386412B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810215937.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努尔蒂 ,  B·G·诺尔曼 ,  M·P·德艾芙琳 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025 ,  F02B43/10 ,  F02B63/04

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27D17/004 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 生产太阳能级硅的系统和方法，其中包含硅石和碳的起始材料被加热形成中间材料。该中间材料包含硅石和碳化硅。所述中间材料反应形成硅。通过加热起始材料以及使中间材料反应所产生的至少一些排放物被收集并用于产生电力。

公开(公告)号：CN101848862A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880022128.0

申请日：2008-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努蒂 ,  J·T·勒曼 ,  V·L·劳 ,  F·D·门迪西诺 ,  R·舒巴 ,  M·P·德"伊维恩 ,  L·N·刘易斯 ,  J·海里奇范多格伦

IPC: C01B33/021 ,  H01L31/02

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/023 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种形成高纯度元素硅的方法。该方法包括步骤：加热硅胶组合物或者衍生自硅胶组合物的中间组合物，其中该硅胶组合物或者中间组合物包括至少大约5重量％的碳，并且该加热温度高于大约1550℃。该加热步骤导致了一种包括元素硅的产物的产生。本发明的另一方面涉及一种制造光电池的方法。该方法包括步骤：由如本发明所述而制备的元素硅来形成半导体基底。然后采用另外的步骤来制作光电装置。

公开(公告)号：CN102177106B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN200980141326.3

申请日：2009-06-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·舒巴 ,  陈伟 ,  A·M·汤普森

IPC: C04B41/45

CPC classification number: C04B41/86 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4539 ,  C10J3/72 ,  C10J2200/09 ,  Y10T428/249954 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/249994 ,  Y10T428/249997 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5051 ,  C04B41/51 ,  C04B41/5071 ,  C04B41/5053 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/5022 ,  C04B35/00 ,  C04B35/12 ,  C04B38/00

Abstract: 一种经处理耐火材料包括多孔耐火材料，所述多孔耐火材料具有一种或多种置于耐火材料的孔内的保护性材料。本发明也提供制备经处理耐火材料的方法。经处理的耐火材料提供炉渣渗透保护，并延长耐火材料的使用寿命。

公开(公告)号：CN102237445B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110112719.0

申请日：2011-04-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  J·C·罗霍 ,  R·舒巴

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L33/0083 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供一种用于形成光伏电池(10)的背接点(12)的方法，光伏电池(10)包括至少一个半导体层(14)。该方法包括：在半导体层(14)的表面(15)上施加化学活性材料的连续膜(16)；以及活化化学活性材料，以使得活化材料蚀刻半导体层(14)的表面(15)。该方法还包括：从光伏电池(10)中去除活化材料的连续膜(16)；以及在半导体层的蚀刻表面(15)上沉积金属接触层(18)。

公开(公告)号：CN101626995B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200880007318.5

申请日：2008-02-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·M·汤普森 ,  R·舒巴 ,  P·J·梅施特 ,  K·L·卢特拉 ,  V·贝拉尼

IPC: C04B35/12 ,  C04B41/50

CPC classification number: C04B35/12 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5007 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/85 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249957 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4549 ,  C04B41/4535 ,  C04B38/00

Abstract: 处理的耐火材料包括具有布置在耐火材料孔内的一种或多种保护材料的烧结多孔耐火材料，其中保护材料选自氧化铝、氧化铬、二氧化硅、稀土氧化物、稀土锆酸盐、氧化钛、莫来石、氧化锆、硅酸锆、氧化钇、氧化镁、氧化铁和它们的混合物。还提供了制备处理的耐火材料的方法。处理的耐火材料防止渣渗透并延长了耐火材料的使用寿命。

公开(公告)号：CN101386412A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215937.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努尔蒂 ,  B·G·诺尔曼 ,  M·P·德艾芙琳 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025 ,  F02B43/10 ,  F02B63/04

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27D17/004 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 生产太阳能级硅的系统和方法，其中包含硅石和碳的起始材料被加热形成中间材料。该中间材料包含硅石和碳化硅。所述中间材料反应形成硅。通过加热起始材料以及使中间材料反应所产生的至少一些排放物被收集并用于产生电力。

公开(公告)号：CN101239722A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710194412.3

申请日：2007-08-03

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努尔蒂 ,  M·P·德埃夫林 ,  J·T·莱曼 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025

CPC classification number: C01B33/025 ,  B01J8/087 ,  B01J8/12 ,  B01J2208/00407 ,  B01J2208/00415 ,  B01J2208/00469 ,  B01J2208/0053

Abstract: 提供一种制备太阳能级硅的装置和方法。该方法包括提供包含颗粒和置于至少一些颗粒之上的涂层的起始材料，其中所述颗粒包含二氧化硅，所述涂层包含碳。该方法进一步包括加热起始材料形成中间产物，并进一步使中间产物反应以生成太阳能级硅。

公开(公告)号：CN102237445A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110112719.0

申请日：2011-04-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  J·C·罗霍 ,  R·舒巴

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L33/0083 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供一种用于形成光伏电池(10)的背接点(12)的方法，光伏电池(10)包括至少一个半导体层(14)。该方法包括：在半导体层(14)的表面(15)上施加化学活性材料的连续膜(16)；以及活化化学活性材料，以使得活化材料蚀刻半导体层(14)的表面(15)。该方法还包括：从光伏电池(10)中去除活化材料的连续膜(16)；以及在半导体层的蚀刻表面(15)上沉积金属接触层(18)。

公开(公告)号：CN102177106A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980141326.3

申请日：2009-06-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·舒巴 ,  陈伟 ,  A·M·汤普森

IPC: C04B41/45 ,  C04B41/86 ,  C10J3/48

CPC classification number: C04B41/86 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4539 ,  C10J3/72 ,  C10J2200/09 ,  Y10T428/249954 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/249994 ,  Y10T428/249997 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5051 ,  C04B41/51 ,  C04B41/5071 ,  C04B41/5053 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/5022 ,  C04B35/00 ,  C04B35/12 ,  C04B38/00

Abstract: 一种经处理耐火材料包括多孔耐火材料，所述多孔耐火材料具有一种或多种置于耐火材料的孔内的保护性材料。本发明也提供制备经处理耐火材料的方法。经处理的耐火材料提供炉渣渗透保护，并延长耐火材料的使用寿命。

公开(公告)号：CN101786894A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010116484.8

申请日：2010-01-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·A·塔伯 ,  陈伟 ,  P·J·梅施特 ,  R·舒巴

IPC: C04B35/66 ,  C04B41/85

CPC classification number: C04B35/12 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/657 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/5007 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/85 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9669 ,  C04B41/455 ,  C04B41/5033 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/5042 ,  C04B35/047 ,  C04B35/00 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4549 ,  C04B38/00

Abstract: 一种经处理的耐火材料包含具有许多孔的耐火材料，其中耐火材料包括氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锆、氧化钛、氧化钙、耐火土、碳化硅、钨、富铝红柱石、白云石、菱镁矿、氧化铝镁、铬铁矿、磁铁矿或包含至少一种前述材料的组合；和处于耐火材料的许多孔内的保护性材料，其中保护性材料选自氧化铝、氧化铬、二氧化硅、稀土金属氧化物、稀土金属锆酸盐、氧化钛、富铝红柱石、氧化锆、硅酸锆、氧化钇、氧化镁、氧化铁及其混合物。