公开(公告)号：CN117133832A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311293743.8

申请日：2023-10-07

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 曹程 ,  姚骞 ,  王亚楠 ,  付非

IPC: H01L31/18

Abstract: 一种太阳电池的制作方法，属于光伏技术领域。制作方法包括：对晶硅基体的背面依次生长掺杂氧化硅层、掺磷非晶硅层、以及掩膜层，掩膜层的材质为氮化硅或氮氧化硅；湿法去除正面的磷硅玻璃，然后碱洗去除边缘绕度，酸洗去除氧化层，退火使掺磷非晶硅层晶化形成掺磷多晶硅层。该制作方法能够兼顾缓解电池良率低以及成本较高的问题。

公开(公告)号：CN114497278B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202210016870.2

申请日：2022-01-07

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 何宇 ,  吴伟梁 ,  邢国强 ,  王秀鹏 ,  姚骞 ,  孟夏杰

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法，其包括如下步骤：S1：提供硅基材，并对硅基材进行制绒加工；S2：采用PECVD原位沉积工艺在硅基材上制作阻隔氧化层和原位重掺杂的P‑poly层；S3：采用激光将P‑poly层中的硼推进到硅基材的细栅区域中以形成重掺区；S4：采用湿法清洗去除P‑poly层；S5：对硅基材的硼扩采用轻扩，达到SE的目的。本工艺方法制得的SE具有明显的轻重掺杂区，SE区域的方阻和结深可以很方便调整而不影响太多产能，且可加工实施性强，成本低，采用PECVD原位掺杂的方式生长的P‑poly层具有高掺杂、高洁净度的特点，杂质含量低，不会像硼浆等方法一样引入脏污，能够保证加工后的TOPCon电池的使用性能。

公开(公告)号：CN113990961A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111256035.8

申请日：2021-10-27

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 邓明璋 ,  徐文州 ,  何宇 ,  陈浩 ,  周凡 ,  吴伟梁 ,  孟夏杰 ,  周鹏宇 ,  姚骞 ,  邢国强

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳能电池，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域。发射极区域形成有发射极，发射极的材质为掺硼单晶硅。背表面场区域形成有背表面场；背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，隧穿氧化层位于多晶硅层和多晶硅层之间。太阳能电池的正电极与发射极电性连接，太阳能电池的负电极于背表面场电性连接。太阳能电池的制备方法用于实现上述结构的太阳能电池的制备。该太阳能电池能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率，从而能够有效提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN113972302A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111248983.7

申请日：2021-10-26

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 吴伟梁 ,  徐文州 ,  陈浩 ,  邓明璋 ,  何宇 ,  周凡 ,  周鹏宇 ,  邢国强 ,  姚骞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0745

Abstract: 本发明涉及一种TOPCon电池及其制备方法和电器设备，该制备方法包括如下步骤：在硅片的正面制绒之后，制备PN结；在硅片的背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺杂多晶硅层及氧化硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为PEALD，沉积温度为150℃～200℃；掺杂多晶硅层的沉积方式为PECVD，所述氧化硅掩膜层的厚度为10nm～40nm；去除硅片正面绕镀的氧化硅掩膜层材料和多晶硅层材料，再去除背面的氧化硅掩膜层；分别在所述PN结上形成正面电极和在所述掺杂多晶硅层上形成背面电极。该制备方法工艺简单，且有利于外观和良率的控制，可在保证具有较高的光电转化效率和开路电压的基础上提高良率，具有更高的量产优势。

公开(公告)号：CN111816595A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010739221.6

申请日：2020-07-28

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 刘世强 ,  王斯海 ,  姚骞 ,  王亚楠 ,  王广华 ,  李冬玫

IPC: H01L21/673 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种适用于光伏超大硅片的石墨舟，用于对石墨舟进行改进，属于太阳能电池技术领域，该石墨舟包括多排连接在一起的石墨舟片，所述石墨舟片上设有石墨舟槽，所述石墨舟片上设置有用于固定硅片的卡点组件，所述卡点组件分布在石墨舟槽的四周，所述卡点组件包括底卡点、侧卡点和顶卡点，所述侧卡点有两个且分设在石墨舟槽的两侧；本发明通过对卡点组件进行设计，完美解决了电池片边缘绕度过重的问题，从而避免了相邻两石墨舟片间的硅片接触到一起，避免了在辉光放电的时候产生短路，造成停工重工，有效保证了设备生产的效率和产能，同时降低了生产员工的劳动强度。

公开(公告)号：CN111382411A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010180588.9

申请日：2020-03-13

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 王斯海 ,  姚骞 ,  王亚楠 ,  刘世强 ,  杨兴波 ,  谢毅

IPC: G06F21/34

Abstract: 本发明涉及获取机台权限的技术领域，具体是一种便捷式获取机台权限的IC系统的使用方法，用于解决现有技术中通过密码对设备解锁安全性不高以及浪费时间的问题。本发明包括以下步骤：步骤1：将刷卡器插入上位机的USB接口中，登陆上位机软件，刷员工IC卡；步骤2：上位机软件调用人事档案接口，并对员工IC卡进行验证；步骤3：若验证失败，则返回上位机软件的登陆界面；若验证成功，则根据返回信息判断权限进入系统主界面。本发明中通过登陆上位软件，将员工的IC卡在读卡器上刷一下，上位软件对员工的信息进行验证，若验证成功才能进入系统的主界面中，这样其他员工就不能进入，从而增加了对设备解锁的安全性，以及节省了大量时间。

公开(公告)号：CN110890433A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201911236725.X

申请日：2019-12-05

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 常青 ,  姚骞 ,  张家峰 ,  马列 ,  王秀鹏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种栅线结构、太阳能电池片、叠瓦组件、印刷方法和制造方法。栅线结构位于基体片的顶表面和/或底表面上并包括第一层栅线和第二层栅线，第一层栅线与基体片的硅片直接接触，第二层栅线设置在第一层栅线的与基体片相对的一侧并与硅片上的膜接触，每一条两层式栅线的第一层栅线包括多个点状结构，点状结构在两层式栅线的延伸方向上间隔排布，且点状结构的宽度大于第二层栅线的宽度。根据本发明，第一层栅线为点状结构且宽度大于第二层栅线，这样的设置使得在实现降低栅线和硅片接触而导致的复合的基础上，能够方便生产制造时第二层栅线对准第一层栅线，从而提升加工精度和加工效率。

公开(公告)号：CN119108440B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411562545.1

申请日：2024-11-05

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 黄智 ,  石鑫鑫 ,  孟夏杰 ,  毛立中 ,  姚骞

IPC: H10F77/30 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；功能层，设于硅基底的表面，功能层为含氢层，功能层为减反射层或掺杂层；氢隔离层，氢隔离层的厚度为0.5 nm~5 nm；其中，氢隔离层的材料包括RZ，其中，R为Si或Cr，Z为O、C、N中的至少一种，且Z包括O时，O元素含量百分比≥20%，Z包括C时，C元素含量百分比20%~30%，Z为N时，N元素含量百分比≥80%，Z包括N和其他元素时，N元素含量比≥50%；或，氢隔离层的材料包括含氢元素的氧化铝层，氢元素在氧化铝层的元素含量≤2×1021 atoms/cm3；氢隔离层设于功能层与硅基底之间。

公开(公告)号：CN110911505B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201911319983.4

申请日：2019-12-19

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 常青 ,  姚骞 ,  张家峰 ,  马列 ,  王秀鹏

IPC: H10F77/30 ,  H10F77/70 ,  H10F10/164 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上；N型钝化层设置在隧穿层的底表面上；P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上；透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本发明中，将钝化接触和异质结两种技术结合起来，既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。并且，本发明的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜，从而可以有效避免底表面的磷绕镀到顶表面导致电池短路或失效的问题。

公开(公告)号：CN117790622B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202311742432.5

申请日：2023-12-15

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  黄智 ,  姚骞

IPC: H01L31/18 ,  C03C3/12 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：在硅片的受光面或背光面上沉积隧穿层；在隧穿层背离硅片的一面上制备掺杂多晶硅层；其中，掺杂多晶硅层的厚度为50nm～100nm；在掺杂多晶硅层背离隧穿层的一面上沉积第一功能层；在第一功能层背离掺杂多晶硅层的一面上印刷浆料；其中，浆料包含IrO2‑PbO‑BeO体系玻璃的玻璃材料；烧结浆料形成第一金属电极；其中，第一金属电极穿透第一功能层后与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；使用激光增强优化接触技术处理第一金属电极所在区域。上述浆料搭配激光增强优化接触技术，能够减少掺杂多晶硅层的破坏。