公开(公告)号：CN117790622B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202311742432.5

申请日：2023-12-15

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  黄智 ,  姚骞

IPC: H01L31/18 ,  C03C3/12 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：在硅片的受光面或背光面上沉积隧穿层；在隧穿层背离硅片的一面上制备掺杂多晶硅层；其中，掺杂多晶硅层的厚度为50nm～100nm；在掺杂多晶硅层背离隧穿层的一面上沉积第一功能层；在第一功能层背离掺杂多晶硅层的一面上印刷浆料；其中，浆料包含IrO2‑PbO‑BeO体系玻璃的玻璃材料；烧结浆料形成第一金属电极；其中，第一金属电极穿透第一功能层后与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；使用激光增强优化接触技术处理第一金属电极所在区域。上述浆料搭配激光增强优化接触技术，能够减少掺杂多晶硅层的破坏。

公开(公告)号：CN117790621A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311742414.7

申请日：2023-12-15

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  黄智 ,  姚骞 ,  李忠涌

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0216 ,  C03C12/00 ,  C03C8/24

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括以下步骤：在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，银浆印刷于第一减反射层表面，银浆中铝的质量百分比低于0.3％，银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属‑半导体接触结构，金属‑半导体接触结构能够改善欧姆接触。

公开(公告)号：CN117790622A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311742432.5

申请日：2023-12-15

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  黄智 ,  姚骞

IPC: H01L31/18 ,  C03C3/12 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：在硅片的受光面或背光面上沉积隧穿层；在隧穿层背离硅片的一面上制备掺杂多晶硅层；其中，掺杂多晶硅层的厚度为50nm～100nm；在掺杂多晶硅层背离隧穿层的一面上沉积第一功能层；在第一功能层背离掺杂多晶硅层的一面上印刷浆料；其中，浆料包含IrO2‑PbO‑BeO体系玻璃的玻璃材料；烧结浆料形成第一金属电极；其中，第一金属电极穿透第一功能层后与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；使用激光增强优化接触技术处理第一金属电极所在区域。上述浆料搭配激光增强优化接触技术，能够减少掺杂多晶硅层的破坏。

公开(公告)号：CN222786263U

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202421174976.6

申请日：2024-05-27

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  黄智 ,  李忠涌

IPC: H10F77/20 ,  H10F77/30 ,  H10F10/14 ,  H10F77/1223

Abstract: 本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件。该钝化接触结构包括：介质层，介质层的厚度为1.20nm～1.40nm；设在介质层上的掺杂层，该掺杂层包括沿背离介质层的方向依次设置的第一掺杂多晶硅层、氧化硅层和第二掺杂多晶硅层，其中，第一掺杂多晶硅层的厚度为20nm～40nm，氧化硅层的厚度为1.0nm～2.0nm，第二掺杂多晶硅层的厚度为80nm～100nm。该钝化接触结构能够有效缓解太阳电池爆膜现象，提升太阳电池性能。

公开(公告)号：CN222051780U

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202323437887.4

申请日：2023-12-15

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  黄智 ,  姚骞 ,  李忠涌

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型涉及太阳电池技术领域，尤其涉及太阳电池及光伏组件。该太阳电池包括：具有第一导电类型的硅基底，硅基底具有相背设置的第一表面和第二表面；由内向外依次设于第一表面上的发射极、钝化层和第一减反射层，发射极有第二导电类型；第一导电类型和第二导电类型中的一种是N型、另一种是P型；由内向外依次设于硅基底的第二表面上的钝化氧化层、掺杂多晶硅层和第二减反射层；掺杂多晶硅层的导电类型与硅基底相同；第一电极穿透第一减反射层和钝化层后与发射极欧姆接触，在第一电极与发射极相接触的界面处具有分叉结构；第二电极穿透第二减反射层后与掺杂多晶硅层欧姆接触。该太阳电池的结构利于提高开压和光电转换效率等。

公开(公告)号：CN222547945U

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202421270371.7

申请日：2024-06-05

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 任莉 ,  姚骞 ,  黄智

IPC: H10F77/30 ,  H10F77/20

Abstract: 本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件。该钝化接触结构包括：介质层，所述介质层为氮氧化硅层，所述介质层的厚度为1.2nm～3nm；设于所述介质层上的掺杂层，所述掺杂层的厚度为30nm～80nm；其中，所述掺杂层包括沿背离所述介质层的方向依次设置的第一掺杂多晶硅层、氧化硅层和第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为掺有掺杂元素的掺杂多晶硅层，所述氧化硅层的厚度为1.5nm～3nm。该钝化接触结构能够提高短路电流的同时，也优化钝化性能，提升太阳电池的光电转换效率。